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???????半導(dǎo)體晶圓在晶圓廠的時(shí)間通常有80%以上花費(fèi)在等待、運(yùn)輸與儲(chǔ)存方面。在這些長(zhǎng)時(shí)間的非處理時(shí)期，潔凈室空氣、結(jié)構(gòu)材料和/或先前處理工序可能會(huì)對(duì)晶圓表面造成分子級(jí)污染。隨著關(guān)鍵尺寸的持續(xù)縮小以及新技術(shù)/材料/處理方法的推出，設(shè)備對(duì)空氣分子污染物(AMC)已經(jīng)變得更加敏感。
惰性氣體相對(duì)安定?氮?dú)鈨艋尚聦?
?????? 惰性氣體凈化是一種提供化學(xué)潔凈與穩(wěn)定晶圓環(huán)境的技術(shù)。這種技術(shù)尤其有助于去除來(lái)自先前處理工序的逸散/殘留氣體，特別是腐蝕性氣體。氧化、接觸形式、酸蝕刻以及光刻都是首先需要這種技術(shù)能力的處理方法。銅互連與低-K電介質(zhì)的面世進(jìn)一步推動(dòng)了這種需求。氧氣與濕氣的存在能夠影響自然氧化層的發(fā)展，減少硅化物的厚度，進(jìn)而提高表面電阻，生成微粒、引起腐蝕，并加速化學(xué)污染。?
?????? 由于其高反應(yīng)性以及和鄰近水分子和/或其它化學(xué)物類形成氫鍵的可能性，濕氣比氧氣和大部分其它化學(xué)物類更難從晶圓環(huán)境中清除。惰性氣體微環(huán)境也許是晶圓儲(chǔ)存與運(yùn)輸?shù)睦硐胄徒鉀Q方案，能夠?yàn)閷?duì)氧氣及濕氣敏感的產(chǎn)品或工序提供保護(hù)。C.?Weibe、S.?Abu-Zaid和H.?Zhang發(fā)現(xiàn)持續(xù)用氮?dú)膺M(jìn)行晶圓盒凈化能夠長(zhǎng)期顯著減少硅表面的自然氧化層再生率。K.?Keyhani、S.?Abu-Zaid和H.?Zhang則提出一種惰性氣體幕墻法，以便有效凈化向前端微環(huán)境開(kāi)放的晶圓盒。?
?????? 決定凈化效率的參量包括吹氣流率、形式、污染物的排放及其與系統(tǒng)表面的交互作用。總體而言，污染物的消耗率根據(jù)以下方程序計(jì)算：
??Vdc/dt = S + A - Uce (1)
?????? 其中V代表系統(tǒng)容量，U代表吹氣流率，c代表污染物的平均濃度，而ce?表示排放濃度。內(nèi)部來(lái)源的污染率S是材料屬性、污染物的局部濃度、幾何因素以及熱力環(huán)境(溫度與壓力等)的復(fù)雜函數(shù)。除了這些參量，周邊污染物濃度ca?也是周邊污染率A的決定因素，A代表排放中的滲漏以及反行擴(kuò)散的影響。這兩個(gè)量提供了給定吹氣流率下的污染物極限(最低)水平。?
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對(duì)癥下藥?直接切中導(dǎo)致濕氣濃度升高的原因?
?????? 經(jīng)過(guò)惰性氣體凈化之后，晶圓盒內(nèi)的濕氣與氧氣濃度因除氣作用、解吸附作用、滲透以及泄漏而隨時(shí)間提高。除氣作用/解吸附作用是造成濕氣濃度升高的主要原因，尤其是在短時(shí)期內(nèi)。包括吸收(溶入聚合體)、擴(kuò)散(透過(guò)聚合體擴(kuò)散)以及解吸附作用(從聚合體蒸發(fā))在內(nèi)的分子滲透是相對(duì)緩慢的作用機(jī)制，僅在長(zhǎng)期過(guò)程中才顯得重要。這項(xiàng)研究以不同的晶圓/晶圓盒表面狀態(tài)對(duì)氧氣/水進(jìn)入曲線進(jìn)行了比較。在線性擴(kuò)散范圍內(nèi)，滲透及泄漏導(dǎo)致分子濃度的指數(shù)表現(xiàn)隨時(shí)間變化。?
??c = ca - c0EXP(-gt/V) (2)
?????? 其中c?表示物類a的平均濃度，c0?表示其起始值，ca?表示周邊環(huán)境的值，V是容器容積，而g代表泄漏率。為了使除氣作用/解吸附作用以及不均勻性的影響降至最低，泄漏率應(yīng)該取決于經(jīng)過(guò)相對(duì)深層次凈化后的充分?jǐn)U展時(shí)間量程的進(jìn)入曲線。?
?????? 該氮?dú)鈨艋瘻y(cè)試采用Asyst的300毫米SMIF-E-charger進(jìn)行。這項(xiàng)測(cè)試采用了AMETEK氧氣分析儀TM-1b進(jìn)行氧氣濃度測(cè)量，并采用一部PANAMETRICS系列35濕氣監(jiān)控儀測(cè)量局部水氣濃度。晶圓盒內(nèi)放置了24塊晶圓，騰出頂部位置用于各項(xiàng)測(cè)試。在12號(hào)與13號(hào)晶圓之間抽取了空氣樣本用于測(cè)量氧氣濃度，而濕氣感應(yīng)器就放置于晶圓區(qū)及晶圓盒入口之間。為評(píng)估晶圓與晶圓盒對(duì)凈化及進(jìn)入處理的表面影響，測(cè)試采用了干式與濕式晶圓與晶圓盒環(huán)境。?
?????? 為模擬濕式晶圓與晶圓盒環(huán)境，測(cè)試前晶圓已由Eclipse?300系統(tǒng)進(jìn)行清潔。標(biāo)準(zhǔn)的SC-1清潔處理耗時(shí)約40分鐘。在測(cè)試前夜，晶圓盒被放置于晶圓廠環(huán)境中(40%?RH)。為模擬干式晶圓與晶圓盒環(huán)境，測(cè)試前內(nèi)置有24個(gè)晶圓的晶圓盒以15?LPM的吹氣流率進(jìn)行了連續(xù)3個(gè)小時(shí)的凈化。表1列舉了測(cè)試環(huán)境，每項(xiàng)凈化測(cè)試使用了多達(dá)300升氮?dú)狻＝?jīng)過(guò)各項(xiàng)凈化測(cè)試之后，晶圓盒被置于開(kāi)孔工作臺(tái)上方約1英吋處長(zhǎng)達(dá)兩個(gè)小時(shí)，而在進(jìn)入測(cè)試期間(無(wú)氮?dú)饬?對(duì)氧氣與濕氣濃度也進(jìn)行了測(cè)量。?
實(shí)驗(yàn)結(jié)果討論?
?????? 表2列舉了測(cè)試過(guò)程中的氧氣與濕氣濃度。測(cè)試表明晶圓盒內(nèi)的氧氣濃度在凈化與進(jìn)入處理期間幾乎與晶圓和晶圓盒表面狀態(tài)無(wú)關(guān)。關(guān)閉氮?dú)饬骱?，氧氣濃度在兩個(gè)小時(shí)內(nèi)可從100?ppm?上升至3.2%(32,000?ppm)。氧氣每分鐘平均進(jìn)入率約為0.027%。另一方面，晶圓/晶圓盒表面狀態(tài)顯著影響了濕氣凈化與進(jìn)入處理。對(duì)于濕式晶圓/晶圓盒而言，快速凈化后的濕氣水平約為3%RH。在氮?dú)饬麝P(guān)閉兩個(gè)小時(shí)后，濕氣濃度上升至30%。對(duì)于干式晶圓/晶圓盒而言，快速凈化后的濕氣濃度約降至1.7%RH。在氮?dú)饬麝P(guān)閉兩個(gè)小時(shí)后，濕氣濃度回升至18%。?
?????? 水分子與固體表面的相互作用很強(qiáng)。因而可預(yù)測(cè)，經(jīng)由通氣過(guò)濾器發(fā)生的泄漏與其它機(jī)制相比，尤其是與濕氣除氣作用/解吸附作用相比，顯得無(wú)足輕重，卻是水氣回升的最重要因素。該預(yù)測(cè)被本文所列的實(shí)驗(yàn)結(jié)果所證實(shí)。?
?????? 另一方面，氧氣分子更易于透過(guò)進(jìn)/出氣閥上的過(guò)濾器而擴(kuò)散。對(duì)氧氣而言，泄漏率是進(jìn)入處理的主要作用因素。因此，泄漏結(jié)果導(dǎo)致分子濃度的指數(shù)表現(xiàn)隨時(shí)間變化。本文中，泄漏與進(jìn)入曲線支持方程式2中的經(jīng)驗(yàn)指數(shù)。對(duì)于一個(gè)確定的凈化系統(tǒng)，其泄漏率也已確定。經(jīng)過(guò)兩個(gè)小時(shí)的進(jìn)入測(cè)試，所有6個(gè)測(cè)試案中的氧氣濃度均處在3.1%~3.4%之間。由此可推導(dǎo)以下結(jié)論：?
????? ?●晶圓盒內(nèi)的氧氣濃度在凈化與進(jìn)入處理過(guò)程中幾乎與晶圓/晶圓盒表面狀態(tài)無(wú)關(guān)。?
????? ?●晶圓/晶圓盒表面狀態(tài)對(duì)濕氣凈化及進(jìn)入處理的影響顯著。?
?????? ●晶圓/晶圓盒的表面狀態(tài)越干燥，晶圓盒內(nèi)就能夠?qū)崿F(xiàn)越低的濕氣濃度并在凈化與進(jìn)入過(guò)程中得以保持。?
????? ?●濕氣除氣作用/解吸附作用在水汽回升中起主要作用大。?
????? ?●氧氣進(jìn)入顯示分子濃度的指數(shù)表現(xiàn)隨時(shí)間變化。
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