純鈦及鈦合金的表面改性一直是研究的熱點(diǎn)。鈦表面陽(yáng)極氧化技術(shù)因其操作簡(jiǎn)單、臨床效果顯著，成為鈦表面改性的常用方法之一。目前研究多集中于通過(guò)鈦表面陽(yáng)極氧化以提高種植體-骨結(jié)合性能，增強(qiáng)抗菌性，種植修復(fù)體周?chē)纬闪己玫能浗M織封閉，或與其他表面改性方法結(jié)合以提高鈦生物活性等方面。微弧氧化是在陽(yáng)極氧化基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)，可明顯提高鈦表面生物活性。本文對(duì)鈦表面陽(yáng)極氧化參數(shù)及其在口腔種植中的應(yīng)用進(jìn)行分析。1.鈦的特性鈦為銀灰色金屬，因其在空氣中易被氧化形成1.8~17nm的氧化膜，具有良好的生物相容性及抗腐蝕性而廣泛應(yīng)用于口腔種植中。鈦表面化學(xué)元素組成、形貌、表面能均影響其生物相容性和活性。學(xué)者們一直致力于對(duì)鈦表面改性以提高其生物學(xué)性能，常用的方法包括：酸蝕處理法、陽(yáng)極氧化法、噴砂法、羥基磷灰石涂層法等。20世紀(jì)30年代出現(xiàn)的鈦表面陽(yáng)極氧化技術(shù)操作簡(jiǎn)單、成本較低、臨床效果明顯，成為常用的改性方法。微弧氧化因能明顯提高鈦表面的生物學(xué)性能而被廣泛應(yīng)用。2.陽(yáng)極氧化影響因素2.1電壓電壓是影響傳統(tǒng)陽(yáng)極氧化及微弧氧化的指標(biāo)之一。傳統(tǒng)陽(yáng)極氧化階段，隨電壓升高氧化膜厚度隨之增加，且氧化膜厚度與電壓成線性關(guān)系，增長(zhǎng)速度為1.4~2.78nm/V。此氧化膜為透明膜，可發(fā)生光的干涉現(xiàn)象，使鈦表面呈現(xiàn)不同顏色。因此可通過(guò)氧化膜的顏色評(píng)定氧化膜厚度。當(dāng)氧化膜達(dá)到一定厚度時(shí)，繼續(xù)增加電壓，鈦表面發(fā)生介質(zhì)擊穿現(xiàn)象，此時(shí)傳統(tǒng)陽(yáng)...
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光罩清洗的流程以及優(yōu)化摘 要：光罩清洗的流程以及優(yōu)化，需要在實(shí)際生產(chǎn)運(yùn)用中來(lái)完善，要保證在不影響清洗能力的情況下來(lái)優(yōu)化各個(gè)工藝參數(shù)，在各種工藝清洗時(shí)的時(shí)間和MASKStage的轉(zhuǎn)速來(lái)縮短清洗光罩的時(shí)間，而這個(gè)參數(shù)需要在不斷地實(shí)驗(yàn)中完善。該文針對(duì)目前液晶面板在正常生產(chǎn)的過(guò)程中光罩（MASK）日常清洗的流程及工藝，介紹了目前光罩清洗機(jī)中使用的幾種主要的清洗工藝，清洗光罩時(shí)需根據(jù)不同原因來(lái)選擇所需要的工藝來(lái)清洗，以及對(duì)清洗工藝的優(yōu)化。關(guān)鍵詞：光罩光罩清洗機(jī)曝光機(jī)1清洗MASK的類(lèi)別1.1拆包清洗在首次光罩到廠后進(jìn)行，要將光罩從光罩盒中取出，并進(jìn)行檢查確認(rèn)，若檢查沒(méi)有問(wèn)題再使用正常的清洗工藝清洗，清洗后放置于MASKStocker內(nèi)，以備使用。1.2日常清洗在產(chǎn)線切換產(chǎn)品或者連續(xù)生產(chǎn)達(dá)到一定數(shù)量時(shí)，為了防止光罩被污染而產(chǎn)生MASK共通缺陷，需要對(duì)光罩進(jìn)行清洗。主要是因?yàn)橐壕a(chǎn)中所使用的光阻特性，有的光阻比較容易揮發(fā)產(chǎn)生升華物滴落在基板的表面，在基板進(jìn)入曝光機(jī)曝光時(shí)由于曝光的GAP較小，從而部分升華物會(huì)接觸到光罩表面，產(chǎn)生MASK共通缺陷，而使生產(chǎn)出的產(chǎn)品在相同的位置有著同樣的不良缺陷。1.3出現(xiàn)MASK共通時(shí)清洗特別是接近式曝光機(jī)，曝光時(shí)光罩與玻璃基板的GAP較小，曝光時(shí)的GAP可能只有100～200μm(如圖1所示)。如果基板上有光阻或其他異物，有可能在曝光時(shí)將異物粘到光罩上或者異物有...
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![光學(xué)材料的干法刻蝕研究]( "光學(xué)材料的干法刻蝕研究")
光學(xué)材料的干法刻蝕研究摘?要：本文對(duì)化學(xué)材料二氧化硅的干法刻蝕工藝進(jìn)行研究，運(yùn)用反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備對(duì)二氧化硅進(jìn)行了刻蝕實(shí)驗(yàn)，通過(guò)對(duì)不同工藝條件下二氧化硅的刻蝕速率、均勻性等參數(shù)對(duì)比，最終得出了二氧化硅等同類(lèi)光學(xué)材料最佳的干法刻蝕工藝條件。關(guān)鍵詞：光學(xué)材料；干法刻蝕；二氧化硅；工藝條件 1.反應(yīng)離子刻蝕的基本原理分析射頻輝光放電后會(huì)使反應(yīng)氣體被擊穿從而產(chǎn)生刻蝕所需要的等離子體，等離子體中不僅包含正離子和負(fù)離子，同時(shí)也含有可以與刻蝕樣品表面發(fā)生反應(yīng)的游離基和自由電子，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用化學(xué)作用進(jìn)行刻蝕的基本原理。而陰離子和陽(yáng)離子在電場(chǎng)作用下可以射向刻蝕樣品的表面，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)刻蝕樣品的物理轟炸，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用物理作用的基本原理，而通過(guò)物理作用和化學(xué)作用的結(jié)合便可以完成對(duì)樣品的刻蝕。2.反應(yīng)離子刻蝕工藝研究?jī)?nèi)容及方法關(guān)于光學(xué)材料在不同工藝條件下的反應(yīng)離子刻蝕研究，在實(shí)驗(yàn)過(guò)程中將實(shí)驗(yàn)硅片作為基礎(chǔ)材料，并通過(guò)CVD技術(shù)使實(shí)驗(yàn)硅片生成實(shí)驗(yàn)所需要的二氧化硅層，在一定的沉積工藝條件下保證所制備的二氧化硅薄膜具有實(shí)驗(yàn)所需要的各種性質(zhì)，并保證其致密性、折射率等都可以達(dá)到光學(xué)材料所具備的相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)，這樣才能確保實(shí)驗(yàn)結(jié)果在光學(xué)材料干法刻蝕應(yīng)用中的有效性。二氧化硅膜在滿足標(biāo)準(zhǔn)后要對(duì)其均勻性進(jìn)行檢測(cè)，可以運(yùn)用橢偏儀對(duì)二氧化硅膜的厚度與折射率進(jìn)行測(cè)量，這樣才能使實(shí)驗(yàn)結(jié)果完全可以代表硅片表面在...
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氮化鎵干法刻蝕研究進(jìn)展摘要：對(duì)比了ＲＩＥ，ＥＣＲ，ＩＣＰ等幾種ＧａＮ７干法刻蝕方法的特點(diǎn)?；仡櫫耍牵幔危狈涛g領(lǐng)域的研究進(jìn)展。以ＩＣＰ刻蝕ＧａＮ和ＡＩＧａＮ材料為例，通過(guò)工藝參數(shù)的優(yōu)化，得到了高刻蝕速率和理想的選擇比及形貌。在優(yōu)化后的刻蝕工藝條件下ＧａＮ材料刻蝕速率達(dá)到３４０ｎｍ／ｍｉｎ，側(cè)墻傾斜度大于８Ｏ。且刻蝕表均方根粗糙度小于３ｎｍ。對(duì)引起干法刻蝕損傷的因索進(jìn)行了討論，并介紹了幾種減小刻蝕損傷的方法。關(guān)鍵詞：氮化鎵；下法刻蝕；等離子體；刻蝕損傷１引言氮化鎵（ＧａＮ）材料具有良好的電學(xué)特性?，如寬的禁帶寬度（３．４ｅＶ）、高擊穿電場(chǎng)（３×１０６Ｖ／Ｃｍ）、較高的熱導(dǎo)率（１．５ｗ／Ｃｍ?Ｋ）、耐腐蝕、抗輻射等，是制作高頻、高溫、高壓、大功率電子器件和短波長(zhǎng)光電子器件的理想材料。刻蝕是ＧａＮ電子器件制造工藝中非常重要的一步，但是ＧａＮ材料是極穩(wěn)定的化合物，其鍵能達(dá)到８．９２ｅＶ，在室溫下ＧａＮ不溶于水、酸和堿，在熱的堿溶液中以非常緩慢的速度溶解，所以用濕法刻蝕很難獲得滿意的刻蝕速率，可控性較差『２１。與傳統(tǒng)的濕法刻蝕比較，干法刻蝕技術(shù)具有各向異性、對(duì)不同材料選擇比差別較大、均勻性與重復(fù)性好、易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)連續(xù)生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)，所以反應(yīng)離子刻蝕（ＲＩＥ）、電子回旋共振等離子體（ＥＣＲ）、感應(yīng)耦合等離子體（ＩＣＰ）等多種干法刻蝕方法被應(yīng)用于ＧａＮ材料的刻蝕中。ＩＣＰ以其廉價(jià)的等離子體...
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氮(氧)化硅濕法刻蝕后清洗方式的改進(jìn)摘要：在半導(dǎo)體制造工藝的濕法刻蝕中，用熱磷酸刻蝕氮化硅和氮氧化硅是其中一個(gè)相對(duì)復(fù)雜又難以控制的工藝。在這個(gè)工藝中，熱磷酸刻蝕后的去離子水（ＤＩＷ）清洗更是一個(gè)非常重要的步驟。主要分析了由于去離子水清洗不當(dāng)造成的表面缺陷的形成機(jī)理，并通過(guò)合理的實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)和分析，給出了具體的解決方案。關(guān)鍵詞：半導(dǎo)體制造；氮化硅；濕法刻蝕；濕法清洗；１引言熱磷酸濕法刻蝕已經(jīng)在半導(dǎo)體制造工藝中應(yīng)用了幾十年了。由于熱磷酸對(duì)氮化硅和氮氧化硅刻蝕具有良好的均勻性和較高的選擇比，一直到了９０ｎｍ的最先進(jìn)制程也是采用熱磷酸來(lái)刻蝕氮化硅與氮氧化硅。常用的熱磷酸刻蝕液是由８５％濃磷酸和１５％去離子水（ＤＩＷ）配合而成，并保持在１６０℃的溫度下進(jìn)行刻蝕。熱磷酸刻蝕之后的芯片一般采用熱去離子水清洗。當(dāng)芯片從１６０℃的磷酸槽進(jìn)入水槽時(shí)，芯片表面殘余磷酸的粘度極劇增加，并且形成一層帶有磷酸和副產(chǎn)物的薄層緊貼于芯片表面。如果不將這層殘余物質(zhì)清洗干凈，將嚴(yán)重影響芯片的后續(xù)制程，造成芯片成品率的損失和可靠性問(wèn)題。所以熱磷酸后清洗比其他酸液（如ＳＣ２，ＳＰＭ，ＨＦ等易去除的試劑）之后的清洗更關(guān)鍵，也更具有挑戰(zhàn)性［１］。２清洗缺陷產(chǎn)生機(jī)理分析隨著工藝尺寸的逐漸縮小，定義和刻蝕精準(zhǔn)的多晶硅線條變得越來(lái)越困難。工業(yè)界常采用在多晶硅表面覆蓋一層由化學(xué)汽相沉積的氮氧化硅（ＳｉＯＮ）來(lái)解決這個(gè)問(wèn)題。在定義多晶硅線...
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單晶硅片KOH堿刻蝕工藝研究在太陽(yáng)能電池片制造行業(yè)中，通常單晶硅片需要進(jìn)行清洗，去除各種雜質(zhì)，或者利用化學(xué)品對(duì)硅片行刻蝕后形成特定的表面狀態(tài)，這樣才能夠繼續(xù)進(jìn)行后續(xù)工藝生產(chǎn)。其中，利用堿溶液KOH進(jìn)行刻蝕清洗，是一種重要的硅片處理方式。在濕法設(shè)備中集成多種化學(xué)品后，可以在單個(gè)設(shè)備上完成刻蝕、清洗等不同工藝，達(dá)到對(duì)硅片進(jìn)行綜合處理的目的。KOH溶液的質(zhì)量分?jǐn)?shù)、刻蝕時(shí)間等對(duì)硅片表面狀態(tài)有重要影響。KOH刻蝕過(guò)程中需要使用大量的化學(xué)品，近年來(lái)隨著技術(shù)的進(jìn)步，出現(xiàn)了KOH堿刻蝕輔助添加劑，通過(guò)在KOH溶液中混合輔助添加劑，不僅能夠達(dá)到原先的工藝要求，還能夠有效減少化學(xué)品用量，降低化學(xué)品廢液的處理量和難度，為今后KOH堿刻蝕大規(guī)模用提供了條件1 實(shí)驗(yàn)材料和工藝實(shí)驗(yàn)中，使用砂漿切割和金剛線切割的單晶硅片外觀尺寸為156mm×156mm,厚度為200um,電阻率為1-3Q·cm。該單晶硅片為市場(chǎng)常見(jiàn)硅片。電池片生產(chǎn)工藝采用車(chē)間量產(chǎn)的PERC(射極純化及背電極）單晶生產(chǎn)工藝。各類(lèi)化學(xué)品原液質(zhì)量分?jǐn)?shù)如表1所示。2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論2.1KOH預(yù)清洗砂漿切割的硅片表面有大量的切割損傷和各種雜質(zhì)等“，需要進(jìn)行清洗才能開(kāi)展下一步擴(kuò)散工藝。通常采用KOH刻蝕的方式來(lái)對(duì)硅片進(jìn)行預(yù)清洗，去除硅片表面各種臟污雜質(zhì)等，達(dá)到清洗效果。清洗工藝中，通常刻蝕時(shí)間對(duì)工藝效果影響較大。實(shí)驗(yàn)中，保持KOH溶液...
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單晶硅片的制造技術(shù)摘要：隨著ＩＣ技術(shù)的進(jìn)步，集成電路芯片不斷向高集成化、高密度化及高性能化方向發(fā)展。傳統(tǒng)的硅片制造技術(shù)主要適應(yīng)小直徑（￣＜２００?。恚恚┕杵纳a(chǎn)；隨著大直徑硅片的應(yīng)用，硅片的超精密磨削得到廣泛的應(yīng)用。文章主要論述了小直徑硅片的制造技術(shù)以及適應(yīng)大直徑硅片生產(chǎn)的硅片自旋轉(zhuǎn)磨削法的加工原理和工藝特點(diǎn)。關(guān)鍵詞：ＩＣ 硅片研磨拋光磨削 集成電路（IC)是現(xiàn)代信息產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)。IC所用的材料主要是硅、諸和碑化嫁等，全球90%以上IC都采用硅片。制造IC的硅片，不僅要求具有極高的平面度和極小的表面粗糙度，而且要求表面無(wú)變質(zhì)層、無(wú)劃傷。目前硅單晶制備技術(shù)可使晶體徑向參數(shù)均勻，體內(nèi)微缺陷減少，0.1~0.3um大小的缺陷平均可以少于0.05個(gè)/cm2;對(duì)電路加工過(guò)程中誘生的缺陷理論模型也有了較為完整的認(rèn)識(shí)，由此發(fā)展了一整套完美晶體的加工工藝。此外，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的飛速發(fā)展，為滿足現(xiàn)代微處理器和其它邏輯芯片要求，一方面，為了增大芯片產(chǎn)量，降低單元制造成本，要求硅片的直徑不斷增大；另一方面，為了提高IC的集成度，要求硅片的刻線寬度越來(lái)越細(xì)。IC制造技術(shù)已經(jīng)跨入0.13和300mm時(shí)代，這對(duì)單晶硅片的制造技術(shù)提出了新的要求。1硅片直徑及集成電路的發(fā)展趨勢(shì)按照美國(guó)半導(dǎo)體工業(yè)協(xié)會(huì)（SIA)提出的微電子技術(shù)發(fā)展構(gòu)圖，到2008年，將開(kāi)始使用直徑450mm的硅片（硅片直徑的發(fā)展趨勢(shì)如圖1...
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TSV基礎(chǔ)知識(shí)介紹硅通孔技術(shù)(TSV)：第4代封裝技術(shù)硅通孔技術(shù)（TSV，Through -Silicon-Via）是通過(guò)在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導(dǎo)通，實(shí)現(xiàn)芯片之間互連的最新技術(shù)。與以往的IC封裝鍵合和使用凸點(diǎn)的疊加技術(shù)不同，TSV能夠使芯片在三維方向堆疊的密度最大，外形尺寸最小，并且大大改善芯片速度和低功耗的性能。日月光公司集團(tuán)研發(fā)中心總經(jīng)理唐和明博士在Chartered上海2007技術(shù)研討會(huì)上將TSV稱(chēng)為繼線鍵合（Wire Bonding）、TAB和倒裝芯片（FC）之后的第四代封裝技術(shù)。然而，TSV與常規(guī)封裝技術(shù)有一個(gè)明顯的不同點(diǎn)，TSV的制作可以集成到制造工藝的不同階段。在晶圓制造CMOS或BEOL步驟之前完成硅通孔通常被稱(chēng)作Via-first。此時(shí)，TSV的制作可以在Fab廠前端金屬互連之前進(jìn)行，實(shí)現(xiàn)core-to-core的連接。該方案目前在微處理器等高性能器件領(lǐng)域研究較多，主要作為SoC的替代方案。Via-first也可以在CMOS完成之后再進(jìn)行TSV的制作，然后完成器件制造和后端的封裝。而將TSV放在封裝生產(chǎn)階段，通常被稱(chēng)作Via-last，該方案的明顯優(yōu)勢(shì)是可以不改變現(xiàn)有集成電路流程和設(shè)計(jì)。目前，部分廠商已開(kāi)始在高端的Flash和DRAM領(lǐng)域采用Via-last技術(shù),即在芯片的周邊進(jìn)行通孔，然后進(jìn)行芯片或晶圓的層疊?？涛g工藝是關(guān)鍵盡管TSV制程的集成...
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SiC基芯片背面通孔刻蝕工藝研究摘要:通過(guò)對(duì)感應(yīng)耦合等離子體(ICP)設(shè)備裝片夾具進(jìn)行改進(jìn)，提高了背氦的導(dǎo)熱效率，減小了下電極基底與晶圓表面之間的溫度差，提高了冷卻效果。對(duì)裝片夾具改進(jìn)前后進(jìn)行了對(duì)比實(shí)驗(yàn)，并分析了射頻功率、ICP功率、下電極基底溫度、腔室壓力等參數(shù)對(duì)SiC背面通孔的刻蝕速率、選擇比、傾斜角及側(cè)壁光滑度的影響。通過(guò)裝片夾具改進(jìn)及工藝條件優(yōu)化，開(kāi)發(fā)出刻蝕速率為1μm/min、SiC與Ni的選擇比大于60∶1、傾斜角小于85°、側(cè)壁光滑的SiC通孔工藝條件，可用于SiC基GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)、SiC金屬半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管(MESFET)等大功率微波器件及其微波單片集成電路(MMIC)研制與生產(chǎn)的背面通孔刻蝕，并可縮短工藝時(shí)間降低生產(chǎn)成本。關(guān)鍵詞:碳化硅;背面通孔刻蝕;感應(yīng)耦合等離子體(ICP);刻蝕速率; 引言SiC與GaN為繼Si和GaAs材料之后的第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，用其制作的半導(dǎo)體微波功率器件及其微波單片集成電路(MMIC)具有工作溫度高、應(yīng)用頻率高、功率輸出大、增益高等優(yōu)點(diǎn)［1－2］。由于SiC材料具有較高的熱導(dǎo)率和穩(wěn)定性及與GaN材料的晶格匹配較好，在SiC襯底上外延GaN材料成為當(dāng)今GaN功率器件發(fā)展的主要方向，特別是在高性能GaN高電子遷移率晶體管(HEMT)微波功率器件及其...
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干法刻蝕之鋁刻蝕在集成電路的制造過(guò)程中，刻蝕就是利用化學(xué)或物理方法有選擇性地從硅片表面去除不需要的材料的過(guò)程。從工藝上區(qū)分，刻蝕可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。前者的主要特點(diǎn)是各向同性刻蝕；后者是利用等離子體來(lái)進(jìn)行各向異性刻蝕，可以嚴(yán)格控制縱向和橫向刻蝕。 干法的各向異性刻蝕，可以用表面損傷和側(cè)壁鈍化兩種機(jī)制來(lái)解釋。表面損傷機(jī)制是指，與硅片平行的待刻蝕物質(zhì)的圖形底部，表面的原子鍵被破壞，擴(kuò)散至此的自由基很容易與其發(fā)生反應(yīng)，使得這個(gè)方向的刻蝕得以持續(xù)進(jìn)行。與硅片垂直的圖形側(cè)壁則因?yàn)楸砻嬖渔I完整，從而形態(tài)得到保護(hù)。側(cè)壁鈍化機(jī)制是指，刻蝕反應(yīng)產(chǎn)生的非揮發(fā)性的副產(chǎn)物，光刻膠刻蝕產(chǎn)生的聚合物，以及側(cè)壁表面的氧化物或氮化物會(huì)在待刻蝕物質(zhì)表面形成鈍化層。圖形底部受到離子的轟擊，鈍化層會(huì)被擊穿，露出里面的待刻蝕物質(zhì)繼續(xù)反應(yīng)，而圖形側(cè)壁鈍化層受到較少的離子轟擊，阻止了這個(gè)方向刻蝕的進(jìn)一步進(jìn)行。在半導(dǎo)體干法刻蝕工藝中，根據(jù)待刻蝕材料的不同，可分為金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。金屬刻蝕又可以分為金屬鋁刻蝕、金屬鎢刻蝕和氮化鈦刻蝕等。目前，金屬鋁作為連線材料，仍然廣泛用于DRAM和flash等存儲(chǔ)器，以及0.13um 以上的邏輯產(chǎn)品中。本文著重介紹金屬鋁的刻蝕工藝。 金屬鋁刻蝕通常用到以下氣體：Cl2、BCl3、Ar、 N2、CHF3和C2H4等。Cl2作為...
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