濕刻蝕是通過(guò)化學(xué)刻蝕液和被刻蝕物質(zhì)之間的化學(xué)反應(yīng)將被刻蝕物質(zhì)剝離下來(lái)的刻蝕方法。大多數(shù)濕法刻蝕是不容易控制的各向同性刻蝕。(1) 特點(diǎn)：適應(yīng)性強(qiáng)，表面均勻性好、對(duì)硅片損傷少，幾乎適用于所有的金屬、玻璃、塑料等材料。(2) 缺點(diǎn)：圖形刻蝕保真想過(guò)不理想，刻蝕圖形的最小線難以掌控。(3) 植入廣告！！該公司在這濕蝕刻方面比較優(yōu)越！?。。?！蘇州華林科納，成立于2008年3月，總投資4500萬(wàn)元；目前已形成濕法清洗系統(tǒng)、刻蝕系統(tǒng)、CDS系統(tǒng)、尾氣處理系統(tǒng)的四大系列數(shù)十種型號(hào)的產(chǎn)品； 廣泛應(yīng)用于大規(guī)模集成電路電力電子器件、光電子器件、MEMS和太陽(yáng)能電池等領(lǐng)域。 干法刻蝕的刻蝕劑是等離子體，是利用等離子體和表面薄膜反應(yīng)，形成揮發(fā)性物質(zhì)，或直接轟擊薄膜表面使之被腐蝕的工藝。(1) 特點(diǎn)：能實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，從而保證細(xì)小圖形轉(zhuǎn)移后的保真性。(2) 缺點(diǎn)：造價(jià)高。 從所產(chǎn)生通道截面形狀分類(lèi)，刻蝕又可分為兩類(lèi)：各向同性刻蝕和各向異性刻蝕。(1) 各向同性刻蝕：刻蝕劑從基片表面向下腐蝕的速率與在其他各方向大致相同，這種刻蝕成為各向同性刻蝕。例如含氫氟酸的溶液刻蝕玻璃和石英就是各向同性的。(2) 各向異性刻蝕：刻蝕劑在某一方向的刻蝕速率遠(yuǎn)大于其他方向時(shí)，就是各向異性刻蝕。例如用氫氧化鈉、氫氧化鉀等堿金屬的氫氧化物或季銨鹽刻蝕硅片時(shí)是各向異性的更多的半導(dǎo)體材料工藝設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華...
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黑硅作為興起的一種新型硅材料,以其在可見(jiàn)光與近紅外波段有極高的光吸收率，使其對(duì)光線十分敏感 ,它的光敏感度可以達(dá)到傳統(tǒng)硅材料的 100 ～ 500 倍。在正常情況下 ,一個(gè)光子只能產(chǎn)生一個(gè)電子 ,而在黑硅這種材料中 ,由于它具備光電導(dǎo)增益效果,可以由一個(gè)光子產(chǎn)生多個(gè)電子, 從而使電流增大200 ～ 300 倍 ,使其在微光探測(cè)方面的性能較一般材料有著飛躍般的進(jìn)步 ,并且黑硅的制造工藝可以較容易地嵌入到目前的半導(dǎo)體工藝中, 使其在照相機(jī) 、夜視儀等光電探測(cè)方面有著廣闊的應(yīng)用前景 。 目前國(guó)際上其通用的制備方式主要有兩種 :飛秒激光器刻蝕和深反應(yīng)離子刻蝕(DRIE)。其中 ,飛秒激光器刻蝕是SF6 環(huán)境下, 利用飛秒激光器產(chǎn)生的超短脈沖激光對(duì)硅片表面進(jìn)行輻照,其激光脈沖的高能在與硅片表面作用的同時(shí), 在表面附近積聚大量能量 , 能瞬間使背景氣體SF6 分解出游離的 F-離子, 并與表面汽化的 Si 原子生成易揮發(fā)的 SiF2 和 SiF4 ,使硅片表面不斷被刻蝕 ,最終形成準(zhǔn)規(guī)則排列的微米量級(jí)尖錐結(jié)構(gòu) 。這樣改造后的硅表面具有極高的光吸收率 , 而反應(yīng)離子刻蝕(RIE)的原理是利用一定壓強(qiáng)下的刻蝕氣體在高頻電場(chǎng)的作用下 ,通過(guò)氣體輝光發(fā)電產(chǎn)生等離子體(其中包含了大量的分子游離基團(tuán)), 通過(guò)電場(chǎng)加速活性基團(tuán)對(duì)被刻蝕物體進(jìn)行離子轟擊和化學(xué)反應(yīng) ,生成揮發(fā)性氣體, 反應(yīng)產(chǎn)物在低壓真...
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—華林科納 網(wǎng)絡(luò)部離子注入出現(xiàn)：隨著集成電路集成度的提高，對(duì)期間源漏結(jié)深的要求，切傳統(tǒng)的擴(kuò)散已無(wú)法景尊控制雜質(zhì)的分布形式以及濃度了。離子束射到固體材料以后，離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用，入射離子逐漸損失能量，最后停留在材料中，并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化，這一現(xiàn)象就叫做離子注入。離子束的用途：摻雜、曝光、刻蝕、鍍膜、退火、凈化等，不同的用途需要不同的離子量。 離子注入系統(tǒng)： 離子注入的特點(diǎn)：（1） 可以獨(dú)立控制雜質(zhì)分布和雜質(zhì)濃度（2） 各向異性摻雜（3） 容易獲得高濃度摻雜 離子注入與擴(kuò)散的比較 離子注入的優(yōu)缺點(diǎn):（1） 優(yōu)點(diǎn)：可控性好，注入溫度低，工藝靈活，可以獲得任意的摻雜濃度分布，結(jié)面比較平坦，均勻性和重復(fù)性好，擴(kuò)大了雜質(zhì)的選擇范圍。（2） 缺點(diǎn)：離子注入將在靶中產(chǎn)生大量晶格缺陷，難以獲得很深的結(jié)深，離子注入的生產(chǎn)效率比擴(kuò)散低系統(tǒng)復(fù)雜安昂貴。更多的半導(dǎo)體濕法腐蝕刻蝕清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費(fèi)的半導(dǎo)體清洗解決方案。
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一、芯片清洗用超純水設(shè)備優(yōu)點(diǎn) 1、無(wú)需酸堿再生：在混床中樹(shù)脂需要用化學(xué)藥品酸堿再生，而EDI則消除了這些有害物質(zhì)的處理和繁重的工作。保護(hù)了環(huán)境。 2、連續(xù)、簡(jiǎn)單的操作：在混床中由于每次再生和水質(zhì)量的變化，使操作過(guò)程變得復(fù)雜，而EDI的產(chǎn)水過(guò)程是穩(wěn)定的連續(xù)的，產(chǎn)水水質(zhì)是恒定的，沒(méi)有復(fù)雜的操作程序，操作大大簡(jiǎn)便化。 3、降低了安裝的要求：EDI系統(tǒng)與相當(dāng)處理水量的混床相比，有較不的體積，它采用積木式結(jié)構(gòu)，可依據(jù)場(chǎng)地的高度和靈活的構(gòu)造。模塊化的設(shè)計(jì)，使EDI在生產(chǎn)工作時(shí)能方便維護(hù)。 二、芯片清洗用超純水設(shè)備的工藝流程 1、采用離子交換方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→陽(yáng)樹(shù)脂過(guò)濾床→陰樹(shù)脂過(guò)濾床→陰陽(yáng)樹(shù)脂混床→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。 2、采用兩級(jí)反滲透方式，其流程如下： 原水→原水加壓泵→多介質(zhì)過(guò)濾器→活性炭過(guò)濾器→軟水器→精密過(guò)濾器→第一級(jí)反滲透 →PH調(diào)節(jié)→中間水箱→第二級(jí)反滲透(反滲透膜表面帶正電荷)→純化水箱→純水泵→微孔過(guò)濾器→用水點(diǎn)。...
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碳化硅磨料所具有的特性（硬度高、抗壓強(qiáng)度高、耐磨性好），使碳化硅磨具在磨削加工中成為磨削硬脆材料及硬質(zhì)合金的理想工具，不但效率高、精度高，而且粗糙度好、磨具消耗少、使用壽命長(zhǎng)，同時(shí)還可改善勞動(dòng)條件。因此廣泛用于普通磨具難于加工的低鐵含量的金屬及非金屬硬脆材料，如硬質(zhì)合金、高鋁瓷、光學(xué)玻璃、瑪瑙寶石、半導(dǎo)體材料、石材等。 碳化硅的分類(lèi)：（黑碳化硅、綠碳化硅）含量越高純度越高、物理性能越好。含量在98%——特級(jí)品含量在95%-98%——一級(jí)品含量在80%-94%——二級(jí)品含量在70%左右——三級(jí)品 主要雜質(zhì)有：游離硅（F.Si）一部分溶解在碳化硅晶體，一部分與其它金屬雜質(zhì)（鐵、鋁、鈣）呈金屬狀態(tài)存在。游離二氧化硅（F.SiO2）通常存在于晶體表面，大都是由于冶煉碳化硅電阻爐冷卻過(guò)程中，碳化硅氧化而形成。 碳化硅生產(chǎn)工藝：原料破碎配料&混料：采用錘式破碎機(jī)對(duì)石油焦破碎到工藝要求的粒徑。按照規(guī)定配方稱量配料并混勻，采用混凝土攪拌機(jī)對(duì)石油焦和石英砂混料作業(yè)。電爐準(zhǔn)備：把上次用過(guò)的爐重新修整、整理,以再次投入使用。作業(yè)內(nèi)容包括潔理爐底料,修整電極,清理爐墻并修補(bǔ),去裝力、1擋, 檢查、排除爐的其他缺陷。裝爐：按照規(guī)定的爐料類(lèi)別、部位、尺寸往爐內(nèi)裝填反應(yīng)料、保溫料、爐芯材料,并砌筑具有保溫和盛料作用的熔煉爐側(cè)墻送電冶...
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濕法蝕刻仍被廣泛地應(yīng)用于當(dāng)今集成電路制造領(lǐng)域,因其工藝可精確控制薄膜的去除量以及工藝過(guò)程中對(duì)原材料的損耗較低,在今后很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)其地位將無(wú)法被取代。 隨著工藝尺寸的不斷縮小,器件可靠性變得越來(lái)越重要,但濕法蝕刻均勻性卻逐漸成為提高器件可靠性的一個(gè)瓶頸。集成電路工藝技術(shù)正進(jìn)一步向大尺寸晶圓和小尺寸單個(gè)器件的方向發(fā)展,如何持續(xù)保持和提高濕法蝕刻的均勻性是集成電路工藝技術(shù)研究中的一個(gè)熱點(diǎn)。 濕法刻蝕的設(shè)備目前主要有槽式刻蝕機(jī)和單片刻蝕機(jī)兩種,槽式刻蝕機(jī)采用浸沒(méi)式處理,刻蝕反應(yīng)時(shí)硅片完全浸沒(méi)在藥液槽中,表面較均勻,所以其刻蝕均勻性也較好。 單片刻蝕機(jī)采取噴灑式工藝,由于硅片表面的藥液層厚度較難控制,所以其刻蝕均勻性相對(duì)較差。研究發(fā)現(xiàn),低刻蝕率化學(xué)藥液的均勻性比高刻蝕率藥液好,原因是刻蝕率低的藥液反應(yīng)劇烈程度小,所以容易得到較均勻的表面.在影響濕法刻蝕均勻性的關(guān)鍵因素方面,對(duì)于槽式刻蝕機(jī),硅片進(jìn)出藥液槽的時(shí)間以及硅片從藥液槽到純水槽的傳送速度很關(guān)鍵；對(duì)于單片式刻蝕機(jī),硅片的自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速和噴灑頭的運(yùn)動(dòng)速度對(duì)刻蝕率均勻性影響很大。去離子水清洗方面,加入噴淋和快速排水功能有助于防止二次蝕刻,從而達(dá)到提高刻蝕均勻性的目的。&...
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刻蝕設(shè)備在太陽(yáng)能晶硅電池刻蝕工藝中的應(yīng)用——華林科納CSE在晶體硅太陽(yáng)能電池的制備過(guò)程中，邊緣刻蝕作為生產(chǎn)工藝的重要一環(huán)，其質(zhì)量的好壞直接影響著太陽(yáng)能電池片質(zhì)量的好壞。當(dāng)前，電池片的刻蝕主要采用的工藝有：等離子體刻蝕、化學(xué)腐蝕刻蝕和利用激光劃線刻蝕。1 工藝及設(shè)備原理等離子體和激光邊緣刻蝕在整個(gè)晶體硅太陽(yáng)能電池片的生產(chǎn)工藝流程中的位置如圖 1 所示，等離子體刻蝕一般處于擴(kuò)散工藝之后，而激光邊緣刻蝕處于燒結(jié)工藝后面。傳統(tǒng)的等離子體刻蝕設(shè)備主要是采用 ICP技術(shù)，配備 RF 電源組成的反應(yīng)系統(tǒng)及干式真空泵排氣系統(tǒng)等[2]，其設(shè)備原理如圖 2 所示，工作時(shí)先將硅片“疊硬幣”式裝入刻蝕夾具，然后放入反應(yīng)室中，硅片在全氟化物（PFC）活性等離子混合氣體中旋轉(zhuǎn)，氟離子與電池片側(cè)面的硅原子反應(yīng)，以去除暴露在邊緣的材料（pn 結(jié)），達(dá)到正背面絕緣目的，同時(shí)產(chǎn)生氟化硅氣體，然后通過(guò)廢氣系統(tǒng)排出。激光精密微細(xì)加工技術(shù)隨著自動(dòng)化程度的提高和激光器類(lèi)型的發(fā)展應(yīng)用越來(lái)越成熟，激光技術(shù)已越來(lái)越廣泛地使用到太陽(yáng)能電池的埋柵刻槽、打孔、劃片等工藝中。在太陽(yáng)能硅片電池劃片工藝的應(yīng)用中使用激光器的選型此前已做了很多試驗(yàn)工作，Schoonderbeek [3] 對(duì)單晶硅激光劃線進(jìn)行了綜合分析，對(duì)紅外（1 060～1 070 nm）、綠色（532 nm）和紫外（355 nm）激光照射（納秒脈沖寬度）前后的表面載流子壽命進(jìn)...
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華林科納砷化鎵生產(chǎn)工藝-砷化鎵清洗設(shè)備砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ- Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)， 晶格常數(shù)5.65×10-10m，熔點(diǎn)1237℃，禁帶 寬度1.4電子伏。 砷化鎵于1964年進(jìn)入實(shí)用階段。砷化鎵 可以制成電阻率比硅、鍺高3個(gè)數(shù)量級(jí)以上 的半絕緣高阻材料,用來(lái)制作集成電路襯底、 紅外探測(cè)器、γ光子探測(cè)器等。 由于其電子遷移率比硅大5~6倍，故在 制作微波器件和高速數(shù)字電路方面得到重要 應(yīng)用。用砷化鎵制成的半導(dǎo)體器件具有高頻、 高溫、低溫性能好、噪聲小、抗輻射能力強(qiáng) 等優(yōu)點(diǎn)。 砷化鎵備料——對(duì)坩堝及備件的處理：1將石英件和PBN坩堝放入煅燒爐中煅燒 目的是除去坩堝表面的雜質(zhì)；2將石英件和PBN坩堝送入腐蝕間用王水進(jìn)行酸洗 目的是除去附著在坩堝上的金屬離子；3將石英件和PBN坩堝用純水清洗 目的是洗去酸液；4將石英件和PBN坩堝用超聲波清洗 目的是除去剩余的小顆粒雜質(zhì) 將石英件和PBN坩堝烘干。目的是除去水分；5將石英件和PBN坩堝送入裝料間備用。砷化鎵備料——對(duì)籽晶、多晶的處理：1用砂紙對(duì)籽晶和多晶進(jìn)行打磨2將籽晶和多晶送入腐蝕間用王水進(jìn)行酸洗 目的是除去附著在籽晶和多晶的金屬離子3將籽晶和多晶送入清洗間用純水進(jìn)行清洗目 的是洗去酸液4用沸水清洗，將籽晶和多晶送入烘干箱內(nèi)烘干5將籽晶和多晶送入裝料間備用將籽晶和多晶送入裝料間備用：A...
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濕法化學(xué)腐蝕是最早用于微機(jī)械結(jié)構(gòu)制造的加工方法。所謂濕法腐蝕，就是將晶片置于液態(tài)的化學(xué)腐蝕液中進(jìn)行腐蝕，在腐蝕過(guò)程中，腐蝕液將把它所接觸的材料通過(guò)化學(xué)反應(yīng)逐步浸蝕溶掉。用于化學(xué)腐蝕的試劑很多，有酸性腐蝕劑，堿性腐蝕劑以及有機(jī)腐蝕劑等。以后為華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)的工程師淺談在半導(dǎo)體濕法腐蝕清洗過(guò)程中遇到的清洗注意事項(xiàng)：1、硫酸雙氧水去膠 說(shuō)明：去除光刻膠 配比：H2SO4：H2O2=3：1 溫度：140℃ 流程：1槽5分鐘→溢流5分鐘→2槽5分鐘→沖水10次→甩干 2、DHF去二氧化硅 說(shuō)明：HF酸漂去二氧化硅 配比：HF：H2O=1：10 溫度：室溫 流程：HF酸漂洗（依漂去二氧化硅厚度定時(shí)）→溢流5分鐘→沖水10次→甩干 3、氮化硅...
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半導(dǎo)體藍(lán)寶石晶片清洗介紹--華林科納CSE清洗環(huán)境 % `- K4 M2 z" c$ |7 [/ k) g整個(gè)藍(lán)寶石的加工環(huán)境對(duì)最終藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量有很大的影響,對(duì)開(kāi)盒即用的藍(lán)寶石晶片,通常拋光、清洗需要在100級(jí)以下的凈化室中進(jìn)行,最后的凈化和封裝需要在10級(jí)的凈化臺(tái)中進(jìn)行。同時(shí)操作人員需要著防塵服,人員進(jìn)入凈化室要經(jīng)過(guò)風(fēng)淋處理。清洗工藝 ( b$ Y, O$ M) w, r針對(duì)開(kāi)盒即用藍(lán)寶石晶片的表面質(zhì)量要求, 根據(jù)上述的凈化原理, 對(duì)切割、磨削、研磨、拋光等不同工序的晶片清洗工藝進(jìn)行了優(yōu)化, 由于拋光后的清洗是最復(fù)雜的清洗, 也是要求最高的最后一道凈化工序, 清洗后就封裝, 交用戶進(jìn)行GaN 外延生長(zhǎng)。所以這里詳細(xì)分析拋光后藍(lán)寶石晶片的清洗方法, 拋光后的藍(lán)寶石晶片的具體清洗工藝和清洗劑的配方如下: a 拋光后的藍(lán)寶石晶片在50℃-60℃的三氯乙烷中用兆聲波清洗15分鐘； b 在20℃-25℃的丙酮中清洗2分鐘； c 用去離子水流清洗2分鐘； ) r$ l4 l' A9 ?. c) L; `$ Dd 在80℃-90℃的2號(hào)液（該清洗劑各組分的體積比是1:4:20）中，兆聲波清洗10分鐘； e 用去離子水流清洗2分鐘； f 擦藍(lán)寶石晶片（可用擦片機(jī)）； g 在90℃-95℃的1號(hào)液（該...
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