![華林科納半導(dǎo)體關(guān)注：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商逐漸打破歐美日壟斷]( "華林科納半導(dǎo)體關(guān)注：國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備供應(yīng)商逐漸打破歐美日壟斷")
中芯國(guó)際北京公司擁有國(guó)內(nèi)唯一一條實(shí)現(xiàn)持續(xù)盈利的12英寸集成電路生產(chǎn)線(xiàn)。該生產(chǎn)線(xiàn)上所使用的幾十臺(tái)國(guó)產(chǎn)設(shè)備，與眾多進(jìn)口設(shè)備一起，新近完成了12英寸晶圓千萬(wàn)片次的量產(chǎn)。 集成電路俗稱(chēng)芯片，是高端制造業(yè)的核心。近年來(lái)，我國(guó)每年集成電路產(chǎn)品進(jìn)口金額超過(guò)石油。在普及率極高的智能手機(jī)行業(yè)，包括CPU、存儲(chǔ)器、各類(lèi)感應(yīng)元器件等，基本依賴(lài)進(jìn)口。 2008年以來(lái)，國(guó)家通過(guò)極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝專(zhuān)項(xiàng)——“02專(zhuān)項(xiàng)”的實(shí)施，推動(dòng)集成電路國(guó)產(chǎn)裝備的開(kāi)發(fā)和產(chǎn)業(yè)化，把目標(biāo)直接定位在世界上最先進(jìn)的65納米、40納米、28納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上，并由行業(yè)的龍頭企業(yè)來(lái)牽頭。 中芯國(guó)際是內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進(jìn)的集成電路制造企業(yè)。其位于亦莊的北京公司，與國(guó)內(nèi)集成電路設(shè)備制造商成立了“產(chǎn)學(xué)研”聯(lián)合開(kāi)發(fā)實(shí)驗(yàn)室，共同面對(duì)設(shè)備要求高、系統(tǒng)復(fù)雜、每?jī)赡旮乱淮?、市?chǎng)基本被美歐日幾家廠(chǎng)商壟斷的局面。 在裝備設(shè)計(jì)上，以往，廠(chǎng)商自己在實(shí)驗(yàn)室里閉門(mén)造車(chē)，造出一個(gè)“鐵箱子”，然后搬到工廠(chǎng)里去，不行再搬回來(lái)改；現(xiàn)在要預(yù)先知道生產(chǎn)的具體要求是什么，隨時(shí)改進(jìn)，共同開(kāi)發(fā)。 對(duì)芯片生產(chǎn)企業(yè)來(lái)說(shuō)，原來(lái)是購(gòu)買(mǎi)進(jìn)口...
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金屬層的形成主要采用物理汽相沉積(Pysical Vapor Deposition，簡(jiǎn)稱(chēng)PVD)技術(shù)，主要有兩種PVD技術(shù)：蒸發(fā)和濺射。蒸發(fā)是通過(guò)把被蒸鍍物體加熱，利用被蒸鍍物在高溫(接近其熔點(diǎn))時(shí)的飽和蒸汽壓，來(lái)進(jìn)行薄膜沉積的；而濺射是利用等離子體中的離子，對(duì)被濺射物體電極（也就是離子的靶）進(jìn)行轟擊，使汽相等離子體內(nèi)具有被濺鍍物的粒子（如原子），這些粒子沉積到硅片上就形成了薄膜。鋁是用于互連的最主要的材料之一，因?yàn)殇X的價(jià)格相對(duì)低廉，并且鋁能夠很容易和二氧化硅反應(yīng)形成氧化鋁，這促進(jìn)了二氧化硅和鋁之間的粘附性。在生產(chǎn)中采用電子束蒸發(fā)工藝淀積鋁膜，大致步驟為：圓片在清洗液中清洗干凈后浸入HF溶液中去除表面的氧化層，去離子水沖洗后離心甩干；將圓片裝上行星盤(pán)，把行星盤(pán)裝回蒸發(fā)臺(tái)后就可以開(kāi)始根據(jù)程序淀積薄膜，可以根據(jù)需要覺(jué)得是否對(duì)蒸發(fā)的圓片襯底加熱。已經(jīng)完成前道工序并且表面已經(jīng)氧化光刻，送入正蒸間進(jìn)行表面金屬化，具體步驟如下：一、前處理清洗：對(duì)應(yīng)不同的產(chǎn)品有不同的清洗方式泡酸：將圓片浸入5%的HF溶液中浸泡20S左右，然后沖水后甩干。對(duì)于肖特基產(chǎn)品采用1%的HF溶液浸泡30S。泡酸后的圓片在2小時(shí)之內(nèi)必須正蒸，否則要重新泡酸（防止放置過(guò)長(zhǎng)時(shí)間產(chǎn)生氧化層）。 二、正面蒸鋁將泡酸完的圓片裝在行星盤(pán)上，放入蒸發(fā)臺(tái)中，按照程序進(jìn)行蒸發(fā)淀積。蒸發(fā)的鋁層的厚度一般根據(jù)芯片功率的大小來(lái)確定，從1...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料 各向同性和各向異性：當(dāng)材料受到液體或蒸汽蝕刻劑的侵蝕時(shí)，它會(huì)被各向同性（在所有方向上均勻）或各向異性蝕刻（在垂直方向上均勻）去除。各向同性蝕刻和各向異性蝕刻之間的區(qū)別如圖 1 所示。濕蝕刻的材料去除速率通常比許多干蝕刻工藝的速率快，并且很容易通過(guò)改變溫度或活性物質(zhì)的濃度來(lái)改變。 濕蝕刻同義詞： 化學(xué)蝕刻、液體蝕刻 定義：濕蝕刻是一種材料去除工藝，它使用液體化學(xué)品或蝕刻劑從晶片上去除材料。特定的圖案由晶圓上的掩模定義。不受掩模保護(hù)的材料會(huì)被液體化學(xué)品蝕刻掉。在先前的制造步驟中使用光刻在晶片上沉積和圖案化這些掩模。[2] 濕法蝕刻工藝涉及消耗原始反應(yīng)物并產(chǎn)生新反應(yīng)物的多個(gè)化學(xué)反應(yīng)。濕蝕刻工藝可以通過(guò)三個(gè)基本步驟來(lái)描述。(1) 液體蝕刻劑擴(kuò)散到要去除的結(jié)構(gòu)。(2)液體蝕刻劑與被蝕刻掉的材料之間的反應(yīng)。通常會(huì)發(fā)生還原氧化（氧化還原）反應(yīng)。該反應(yīng)需要材料的氧化，然后溶解氧化的材料。(3)反應(yīng)中副產(chǎn)物從反應(yīng)表面擴(kuò)散。 各向異性濕蝕刻 略 各向同性濕法蝕刻： 略 干蝕刻： 略同義詞：等離子蝕刻、氣體蝕刻、物理干蝕刻、化學(xué)干蝕刻、物理化學(xué)蝕刻反應(yīng)離子蝕刻： 略 ...
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![最新半導(dǎo)體行業(yè)新聞關(guān)注熱點(diǎn)]( "最新半導(dǎo)體行業(yè)新聞關(guān)注熱點(diǎn)")
華林科納關(guān)注半導(dǎo)體業(yè)界動(dòng)態(tài)1. 北京君正擬126億收購(gòu)豪威和思必科12月1日，北京君正集成電路股份有限公司晚間發(fā)布公告稱(chēng)，擬采用非公開(kāi)發(fā)行股份及支付現(xiàn)金的方式購(gòu)買(mǎi)北京豪威科技有限公司100%股權(quán)、北京視信源科技發(fā)展有限公司100%股權(quán)以及北京思比科微電子技術(shù)股份有限公司40.43%股權(quán)。本次交易作價(jià)共計(jì)約126.22億元，募集配套資金不超過(guò)21.55億元。北京君正認(rèn)為，收購(gòu)?fù)瓿珊?，豪威科技將和思比科充分發(fā)揮協(xié)同作用。豪威科技將利用技術(shù)優(yōu)勢(shì)，結(jié)合思比科的成本控制能力，遏制市場(chǎng)內(nèi)中低端圖像傳感器芯片企業(yè)蠶食市場(chǎng)空間，能夠有效應(yīng)對(duì)價(jià)格沖擊。 2. 廈門(mén)與中科院簽訂合作協(xié)議共建學(xué)院11月30日，廈門(mén)市和中國(guó)科學(xué)院簽訂共建“中國(guó)科學(xué)院大學(xué)廈門(mén)微電子工程學(xué)院”暨“廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)研究院”合作框架協(xié)議。中國(guó)科學(xué)院大學(xué)廈門(mén)微電子工程學(xué)院為中國(guó)科學(xué)院大學(xué)二級(jí)學(xué)院，主要培養(yǎng)工程高端型+實(shí)用型的復(fù)合型人才，將實(shí)行雙導(dǎo)師制(學(xué)院和企業(yè)各一名)。學(xué)院預(yù)計(jì)從2018年起開(kāi)始招收研究生，學(xué)歷教育以工程學(xué)位為主。同時(shí)，將開(kāi)展集成電路相關(guān)專(zhuān)業(yè)的本科三、四年級(jí)專(zhuān)業(yè)課程及項(xiàng)目實(shí)訓(xùn)教育。廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)研究院是適應(yīng)廈門(mén)微電子產(chǎn)業(yè)發(fā)展及技術(shù)創(chuàng)新要求，集產(chǎn)業(yè)共性技術(shù)和關(guān)鍵技術(shù)研發(fā)、成果轉(zhuǎn)化、企業(yè)孵化、技術(shù)服務(wù)及人才培養(yǎng)等于一體的新興研發(fā)組織。 3. 紫光旗下新華三集團(tuán)落戶(hù)合肥高新區(qū)11月28日，新華三集團(tuán)安全...
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一、前處理檢驗(yàn)完成后送入背蒸間，蒸發(fā)工序接收?qǐng)A片時(shí)要檢查片子表面有無(wú)異常情況，特別是鋁層有無(wú)減薄現(xiàn)象、中測(cè)針跡的深度等，檢驗(yàn)合格后進(jìn)行前處理。（1） 清洗：各種圓片在減薄后，背面蒸發(fā)前都要清洗，步驟如下：1、一槽：ABZOL溶液，加熱至（55±5）℃，加超聲；2、二槽：ABZOL溶液；3、三槽：甲醇，目的是去除ABZOL溶液；4、四槽：甲醇；5、溢流槽：沖水，去除甲醇；6、厚度大于200μm 的片子在離心甩干機(jī)中甩干，角片有隱裂和厚度小于200μm 的片子用甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦浜娓?。?） 泡酸：對(duì)于減薄片用5%的HF水溶液，對(duì)于噴砂片用冰乙酸：氟化銨=1：3的氟化銨溶液。泡酸后必須充分沖水，使硅片上的酸液在極短的時(shí)間內(nèi)沖走，以免部分酸液停留在引線(xiàn)孔內(nèi)或中測(cè)點(diǎn)上導(dǎo)致部分地方過(guò)腐蝕。將片架放到離心甩干機(jī)中甩干。角片沖水后經(jīng)甲醇脫水后在氮?dú)夂嫦渲泻娓?。?） 金砷工藝背蒸前處理：清洗同前，泡酸步驟為：1、背面單面泡5%的HF溶液16s左右；2、沖純水；3、甩干。金砷蒸發(fā)在背面蒸發(fā)專(zhuān)用金砷工藝蒸發(fā)臺(tái)中進(jìn)行，金源要使用有坩堝套的。 二、背蒸背蒸是在離子束蒸發(fā)臺(tái)中進(jìn)行，背蒸工藝根據(jù)背面金屬化結(jié)構(gòu)來(lái)命名，具體工藝如下：工藝名稱(chēng)工藝方法材料名J方式五層工藝（1.2-1.6）μmVNiAuGeAuGeSbAuS方式四層工藝（2.4-3.0）μmTiNiSnCuSnCuSnCuA...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料用單晶片處理器選擇性濕蝕刻磷酸中的 Si3N4/SiO2 的設(shè)計(jì)在濕法工藝實(shí)施中使用單晶片處理器是先進(jìn)半導(dǎo)體制造的一種趨勢(shì)，因?yàn)樗哂袩o(wú)污染、靈活的工藝控制以及在不損壞圖案的情況下提高顆粒去除效率等優(yōu)點(diǎn)。然而，在去除氮化硅的過(guò)程中，不僅是磷酸消耗的成本問(wèn)題，還有蝕刻速率、均勻性和選擇性等工藝性能，是使該工藝難以切換到單晶圓類(lèi)型的障礙。從長(zhǎng)凳類(lèi)型。在這里，我們提出了一種新穎的設(shè)計(jì)，它引入了一個(gè)上晶圓加熱板來(lái)保持磷酸蝕刻劑的高溫，以克服單晶圓處理器在氮化物方面存在的蝕刻速率低、均勻性差和選擇性低的常見(jiàn)問(wèn)題。剝離過(guò)程。在這項(xiàng)工作中，研究了單晶片處理器中的操作變量（如轉(zhuǎn)速、熔池時(shí)間和溫度）對(duì)蝕刻速率、均勻性和選擇性的交互影響，以深入了解該過(guò)程。蝕刻選擇性明顯從約降低。100 到60 當(dāng) H3PO4 溫度從 144°C 增加到 154°C 而引入加熱板已被證明可以顯著提高蝕刻選擇性。在半導(dǎo)體制造中，氮化硅 (Si3N4) 和二氧化硅 (SiO2) 是最典型和廣泛使用的介電材料，用作硬掩模、犧牲層、注入間隔物或應(yīng)力誘導(dǎo)膜。 氮化硅通?？梢酝ㄟ^(guò)各種方法去除，例如干法蝕刻、HF、BOE（緩沖氧化物蝕刻）等。 然而，氮化硅對(duì)磷酸介質(zhì)中的氧化物的高蝕刻選擇性使得氧化硅充當(dāng)蝕刻停止層，以保護(hù)下層膜或結(jié)構(gòu)免受氮化膜條帶產(chǎn)生的損壞。多年來(lái)，在批...
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![半導(dǎo)體行業(yè)要聞]( "半導(dǎo)體行業(yè)要聞")
華芯通啟用北京研發(fā)中心高通服務(wù)器芯片戰(zhàn)略主打中國(guó)牌” 貴州華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司日前宣布正式啟用位于北京望京地區(qū)的北京研發(fā)中心。作為華芯通半導(dǎo)體全資子公司的北京華芯通半導(dǎo)體技術(shù)有限公司亦落戶(hù)該地區(qū)并舉行了盛大的開(kāi)業(yè)典禮。 目前，華芯通已經(jīng)獲得了ARM-V8架構(gòu)技術(shù)授權(quán)，并制定了未來(lái)三年的產(chǎn)品規(guī)劃和時(shí)間表。 根據(jù)規(guī)劃，華芯通半導(dǎo)體近期將建設(shè)貴州、北京、上海三個(gè)基地，加快公司的芯片研發(fā)步伐。其中，貴州基地主要負(fù)責(zé)芯片和系統(tǒng)開(kāi)發(fā)平臺(tái)的測(cè)試，已規(guī)劃建設(shè)四平方公里的集成電路產(chǎn)業(yè)園，包括設(shè)計(jì)、制造、封裝、測(cè)試和辦公配套五個(gè)功能板塊；北京基地主要負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)、參考系統(tǒng)和軟件的開(kāi)發(fā)，市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)和營(yíng)運(yùn)，目前已經(jīng)完成了管理團(tuán)隊(duì)的組建，技術(shù)團(tuán)隊(duì)的招聘、技術(shù)資料的移交、研發(fā)基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等等工作，研發(fā)中心和實(shí)驗(yàn)室也正式投入使用； 上海基地主要負(fù)責(zé)芯片設(shè)計(jì)和驗(yàn)證，預(yù)計(jì)在2017年第一季度投入使用。直擊東莞集成電路高峰論壇明年IC業(yè)靠什么來(lái)拉動(dòng)？ 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不是高速增長(zhǎng)，而是呈個(gè)位數(shù)增長(zhǎng)?！痹谌涨坝谒缮胶e辦的“2016年?yáng)|莞市IT產(chǎn)業(yè)峰會(huì)暨集成電路高峰論壇”上，臺(tái)灣資策會(huì)產(chǎn)業(yè)情報(bào)研究所資深產(chǎn)業(yè)顧問(wèn)兼資深總監(jiān)陳子昂如是指出IC產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀，并對(duì)IC產(chǎn)業(yè)的應(yīng)用及未來(lái)趨勢(shì)進(jìn)行了具體解讀，并給出了...
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掃碼添加微信，獲取更多濕法工藝資料離子注入主要用于超大規(guī)模集成電路工藝中的硅摻雜。離子注入提供了一種可以精確控制注入摻雜劑劑量的技術(shù)。在離子注入中，離子束以通常大于 50 eV 的能量朝著目標(biāo)加速。離子束可以聚焦，也可以相對(duì)于晶片表面傾斜。通過(guò)使用適當(dāng)?shù)难诒尾牧希梢栽诰系膮^(qū)域上選擇性地施加離子注入。在擴(kuò)散過(guò)程中，掩模必須承受高溫。然而，在離子注入工藝中，晶片不是有意加熱的。對(duì)于中等劑量，晶片的溫度不會(huì)顯著增加到室溫以上。因此可以使用光刻膠來(lái)掩蔽離子注入。離子能量可以在幾百個(gè) eV 到 MeV 的范圍內(nèi)。在晶體硅晶格中，將原子從其晶格位置移出并產(chǎn)生穩(wěn)定的空位 - 間隙對(duì)所需的能量為 15 eV。這意味著每個(gè)注入的離子都會(huì)對(duì)晶體結(jié)構(gòu)造成損害。因此，注入的硅不是很有用。通常，必須對(duì)損壞進(jìn)行退火處理，并在注入后通過(guò)高溫?zé)崽幚砑せ钭⑷氲膿诫s劑。這也允許我們?cè)谝欢ǔ潭壬蠈㈦x子注入到掩膜之下。離子注入的這些特性使得該工藝最適合在 VLSI 工藝中進(jìn)行摻雜。離子注入用于超大規(guī)模集成電路技術(shù)中的場(chǎng)截止摻雜、阱摻雜、反擊穿摻雜、閾值電壓控制、源/漏擴(kuò)展摻雜、暈圈摻雜和深源/漏摻雜。SRIM 是一種蒙特卡羅模擬程序，用于計(jì)算非晶材料中加速離子的軌跡。 略幻燈片的圖顯示了什么 ？ &#...
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LED 用藍(lán)寶石晶片濕法腐蝕清洗技術(shù)的研究 近二十年來(lái)，氮化鎵基發(fā)光二極管（GaN-basedLEDs）取得了飛躍式發(fā)展，并實(shí)現(xiàn)了大規(guī)模的產(chǎn)業(yè)化生產(chǎn)。GaN-based LEDs 由于其高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)越性能，將取代現(xiàn)有的白熾燈、熒光燈、鹵化燈等而成為主流的固態(tài)照明工具。 現(xiàn)有的外延襯底大部分為藍(lán)寶石，藍(lán)寶石的組成為氧化鋁（Al2O3）。由于藍(lán)寶石的光學(xué)穿透帶很寬，從近紫外光到中紅外線(xiàn)都具有很好的透光性。因此被大量用在光學(xué)元件、紅外裝置、高強(qiáng)度鐳射鏡片材料及光罩材料上，它具有高聲速、耐高溫、抗腐蝕、高硬度、高透光性、熔點(diǎn)高等特點(diǎn)，因此常被用來(lái)作為光電元件的材料。目前超高亮度白 / 藍(lán)光 LED 的品質(zhì)取決于氮化鎵磊晶（GaN）的材料品質(zhì)，而藍(lán)寶石襯底晶片拋光表面的雜質(zhì)沾污會(huì)嚴(yán)重影響 LED 的質(zhì)量和成品率。影響 GaN生長(zhǎng)的臨界顆粒尺寸為 0.3 μm，在目前的 LED生產(chǎn)中，絕大多數(shù)廢品是由于表面污染引起的，由于在襯底晶片生產(chǎn)中，幾乎每道工序都有清洗問(wèn)題，所以藍(lán)寶石晶片清洗的好壞對(duì) LED 的發(fā)光性能有嚴(yán)重的影響，處理不當(dāng)，可能使全部藍(lán)寶石晶片報(bào)廢，做不出管子來(lái)，或者制造出來(lái)的 LED 性能低劣、穩(wěn)定性和可靠性很差。因此弄清楚藍(lán)寶石晶片清洗的方法和原理具有十...
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![半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，12寸晶元廠(chǎng)將轉(zhuǎn)移中國(guó)]( "半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展迅速，12寸晶元廠(chǎng)將轉(zhuǎn)移中國(guó)")
—華林科納 網(wǎng)絡(luò)部對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)來(lái)說(shuō)，經(jīng)歷過(guò)2015年的產(chǎn)業(yè)大整合之后，整個(gè)產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局已經(jīng)發(fā)生了深刻的變化，2016年將成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“拐點(diǎn)”。今年大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)依舊保持高速增長(zhǎng)的格局，主要是受惠于大陸市場(chǎng)持續(xù)進(jìn)行進(jìn)口替代，為本土企業(yè)帶來(lái)發(fā)展空間?！ 《?2寸晶圓、8寸晶圓廠(chǎng)的生產(chǎn)線(xiàn)與制程技術(shù)模組和IP核心的開(kāi)發(fā)，為智慧電網(wǎng)、智慧交通、智慧家居等物聯(lián)網(wǎng)相關(guān)的集成電路產(chǎn)品，提供有力的支撐，以及外資企業(yè)加大在大陸投資的規(guī)模，而更重要的是中國(guó)大陸政府政策的扶植，如《中國(guó)制造2025》、十三五規(guī)畫(huà)等新世紀(jì)發(fā)展戰(zhàn)略的帶動(dòng)?！ 【图呻娐分圃鞓I(yè)而言，全球12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能向中國(guó)轉(zhuǎn)移已成定局，中國(guó)現(xiàn)有的12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能總計(jì)共42萬(wàn)片/月，其中包括中芯國(guó)際（北京）、中芯國(guó)際（上海）、SKHynix、Intel（大連）、武漢新芯、Samsung、華力微電子，而2016-2018年中國(guó)新增的12寸晶圓廠(chǎng)總產(chǎn)能將高達(dá)63.50萬(wàn)片/月，占全球12寸晶圓廠(chǎng)的產(chǎn)能比重將由2016年的10%攀升至2018年的22%?！ ∥磥?lái)中國(guó)12寸廠(chǎng)的產(chǎn)能將足以左右全球半導(dǎo)體市場(chǎng)，另一方面也代表中國(guó)半導(dǎo)體勢(shì)力的崛起，各國(guó)紛紛向中國(guó)祭出合作、插旗的策略，期望搶攻未來(lái)的商機(jī)?！ ∑渲兄档靡惶岬氖?，2016-2018年中國(guó)新增的12寸晶圓廠(chǎng)產(chǎn)能中將包括來(lái)自于臺(tái)灣的臺(tái)積電、聯(lián)電、力晶，各于廈門(mén)、南京、合肥等地設(shè)...
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