掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)內(nèi)資料本文提出了一種將垂直氮化鎵鰭式場效應(yīng)晶體管中的鰭式溝道設(shè)計(jì)成直而光滑的溝道側(cè)壁的新技術(shù)。因此，詳細(xì)描述了在TMAH溶液中的氮化鎵濕法蝕刻；我們發(fā)現(xiàn)m-GaN平面比包括a-GaN平面在內(nèi)的其他取向的晶面具有更低的表面粗糙度。還研究了溝道底部的溝槽和斜面(長方體)，攪動無助于長方體的去除或晶面刻蝕速率的提高。最后，研究了有無紫外光照射下，紫外光對三甲基氯化銨中m和a-GaN晶面刻蝕速率的影響。因此，發(fā)現(xiàn)用紫外光將m-GaN平面蝕刻速率從0.69納米/分鐘提高到1.09納米/分鐘；在a-GaN平面蝕刻的情況下，紫外光將蝕刻速率從2.94納米/分鐘提高到4.69納米/分鐘。 圖1濕蝕刻法被用來揭示通道側(cè)壁上的晶體平面，制造過程如圖1所示，本實(shí)驗(yàn)采用金屬有機(jī)化學(xué)蒸汽沉積法(MOCVD)在藍(lán)寶石基質(zhì)上生長的7微米厚的氮化鎵外層晶片，這個(gè)正方形樣品的大小是1厘米×1厘米。為此制作了180個(gè)15×2µm2尺寸的手指（圖2）。 圖2制造過程首先是在晶片上沉積一個(gè)1µm厚的二氧化硅(PECVD)層，作為一個(gè)掩模,然后用PMMA9%抗蝕劑進(jìn)行電子束光刻技術(shù),二氧化硅使用CF4/He混合氣體的干蝕刻進(jìn)行蝕刻，將圖案從抗蝕劑轉(zhuǎn)移到二氧化硅掩模,最后，使用TMAH溶液進(jìn)行氮化鎵濕式蝕刻。通過電子束蒸發(fā)沉積的厚度分...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
09
瀏覽次數(shù)：199
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文提出了一種新的硅塊微加工裝置，它利用聚合物保護(hù)涂層ProTEKRB2涂層代替?zhèn)鹘y(tǒng)的硬掩模，考慮了不同濃度的氫氧化鉀和浴條件，ProTEKRB2涂層與硅襯底具有良好的粘附性，沒有降解、蝕刻率和表面粗糙度，蝕刻時(shí)間大于180min且不破壞前側(cè)微結(jié)構(gòu)，微懸臂梁也使用兩種不同的工藝流程制造，以證明這種保護(hù)涂層在微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)工藝中的適用性。實(shí)驗(yàn)在不同的氫氧化鉀浴條件下進(jìn)行，樣品與水平位置相比，將樣品保持在垂直位置，以便更好地從蝕刻表面排出氫氣泡，并更好地對樣品進(jìn)行視覺控制，氫氧化鉀蝕刻裝置如圖1。 圖1在沉積ProTEKRB2涂層之前，必須將一種特定的引物自旋應(yīng)用于Si表面，以提高薄膜的粘附性，然后需要在熱盤上以130°C-150°C進(jìn)行軟烤，保護(hù)涂層可以以1000rpm的速度旋轉(zhuǎn)涂在樣品上90秒，然后分三個(gè)步驟進(jìn)行硬烘烤：150°C 2min，170°C 2min，225°C 1min。這些步驟需要達(dá)到聚合物的最佳穩(wěn)定性和粘附性，從而避免在氫氧化鉀蝕刻過程中出現(xiàn)不必要的剝離，在這些條件下，涂層的平均厚度為12微米。濕蝕刻后，樣品清洗如下：首先應(yīng)用特定的去除液約20-40min，使保護(hù)層溶解，然后為了完全去除，必須分別在3：1的硫酸和過氧化氫溶液中進(jìn)行額外的“食人魚”蝕刻，持續(xù)...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
09
瀏覽次數(shù)：142
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文展示了一種低成本的基于化學(xué)鎳/金碰撞下金屬化(UBM)的晶圓級碰撞工藝，用于所有翻轉(zhuǎn)芯片互連技術(shù)，如板上的翻轉(zhuǎn)芯片或封裝的翻轉(zhuǎn)芯片，這在今天的工業(yè)中使用。在下一個(gè)千年的晶圓制造中實(shí)施的化學(xué)鎳碰撞的兼容性表明，這是一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，不僅是今天使用的晶圓技術(shù)，特別是下一代的晶圓技術(shù)，包括300毫米晶圓和銅墊。 圖1圖1顯示了一批并行處理的晶片。12英寸晶圓的化學(xué)碰撞可以節(jié)省特定的成本，特別是由于標(biāo)準(zhǔn)工藝的12英寸設(shè)備需要照片成像，這需要昂貴的步進(jìn)和12英寸的濺射和電鍍設(shè)備。與此相反，低成本的化學(xué)過程鎳/金碰撞需要特殊的晶圓碰撞罐，是一種特殊的成本節(jié)約，因?yàn)榕c標(biāo)準(zhǔn)的電鍍工藝相比，投資成本降低了5-10倍，在FC組件中，Ni/Au凸起實(shí)現(xiàn)了以下功能，它們保護(hù)鋁，作為一個(gè)附著力層和擴(kuò)散屏障，保證與鋁綁墊穩(wěn)定可靠的接觸，除此之外，這主要是一個(gè)UBM的功能。圖2顯示了作為各向異性傳導(dǎo)連接劑的化學(xué)鎳/金(ACF)翻轉(zhuǎn)芯片組裝的基礎(chǔ)，用于聚合物翻轉(zhuǎn)芯片組裝（導(dǎo)電粘合劑），以及使用不同焊料合金的焊接和直接芯片連接類型的應(yīng)用，化學(xué)鎳/金碰撞是一種濕化學(xué)和無掩蔽的過程。隨著制造工藝的發(fā)展，所有類型的晶圓都可以與優(yōu)質(zhì)的標(biāo)準(zhǔn)工藝相結(jié)合，在一種特殊設(shè)計(jì)的碰撞線晶片中，可以鍍上直徑從4英寸（100毫米）到12英寸（300毫米）的材料。 圖2為了滿足晶圓碰撞的...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
08
瀏覽次數(shù)：146
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料我們研究了在碳化硅襯底上生長的外延氮化鎵層的選擇性濕式化學(xué)蝕刻，結(jié)果表明，由于這些蝕刻劑中氮化鎵溶解的一些特征，根據(jù)蝕刻坑的數(shù)量來測定位錯(cuò)密度可能是錯(cuò)誤的，在熱正磷酸中引入al3+或fe3+離子可以優(yōu)化蝕刻工藝，結(jié)果消除了蝕坑的合并，并減少了連接到生長表面缺陷的蝕坑數(shù)量，而不是氮化鎵的缺陷。 圖1圖1顯示了在熱純磷酸中蝕刻3分鐘的外延氮化鎵層上拍攝的掃描電鏡顯微照片（在熔融氫氧化鉀中蝕刻得到了類似的結(jié)果），可以看出，蝕刻導(dǎo)致氮化鎵樣品表面形成六邊形的蝕刻坑，然而這些坑沒有光滑的墻壁，相反墻壁有由平行于基平面組成的平面組成的梯田，這些梯田沿著地表擴(kuò)展，超出了坑的邊界，導(dǎo)致了坑的合并。通常，選蝕的最佳條件包括保持兩個(gè)溶解速率之間的比例?n?t，在熔融氫氧化鉀和純熱磷酸中氮化鎵蝕刻過程中，??條件并不持續(xù)，這似乎是這些蝕刻劑的主要缺點(diǎn)，因此我們可以得出這樣的結(jié)論：當(dāng)使用氫氧化鉀和熱磷酸暴露位錯(cuò)氮化鎵增長6H-SiC，合并的影響會導(dǎo)致一個(gè)錯(cuò)誤估計(jì)位錯(cuò)密度時(shí)，因?yàn)榭梢姷奈g刻坑的數(shù)量可能不對應(yīng)實(shí)際的缺陷的數(shù)量。結(jié)果表明，通過在蝕刻劑中加入額外的藥劑，即Me離子，可以優(yōu)化選擇性蝕刻的過程，氯化鋁（氯化鐵）的飽和水溶液中的離子引入到蝕刻劑中，當(dāng)使用磷酸和氯化鋁或氯化鐵水溶液，體積比為5：1時(shí)，效果最好，結(jié)果我們得到了壁光滑的清晰蝕刻坑。我們還發(fā)現(xiàn)，這種...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
08
瀏覽次數(shù)：141
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料在電鍍行業(yè)，為了實(shí)現(xiàn)批量生產(chǎn)和質(zhì)量的穩(wěn)定，積極引進(jìn)了電鍍自動化設(shè)備，對企業(yè)的現(xiàn)代化也起到了很大的作用。在電鍍中，以被電鍍物為陰極進(jìn)行電鍍，試著對離子電鍍進(jìn)行實(shí)驗(yàn)，對濕式電鍍的特征進(jìn)行了如下重新認(rèn)識：（1）作業(yè)性容易，可以目視處理的過程，由于不需要減壓、密閉等特殊容器，物品進(jìn)出容易，處理過程可見；（2）平滑化，回轉(zhuǎn)等功能，通過向電鍍浴中加入適當(dāng)?shù)奶砑觿?，可以獲得該功能，并且可以簡化用于裝飾用途的電鍍中的拋光工藝，在最近的電鍍技術(shù)中，即使在0.5 mmφ以下的小孔徑內(nèi)也可以進(jìn)行電鍍，作為印刷線路板的通孔電鍍是實(shí)用的；（3）凹部、背面也可以鍍覆，通過設(shè)計(jì)陽極和輔助電極，可以在物品的正面，背面或管道的內(nèi)表面進(jìn)行電鍍；（4）加工對象面積廣，降低成本，通過選擇與物品的形狀、數(shù)量相適應(yīng)的電鍍方法（電鍍浴、靜止法、旋轉(zhuǎn)法等），可以降低處理成本；（5）成膜效率高，在電鍍中，根據(jù)金屬的電化學(xué)當(dāng)量和電鍍浴的電流效率，可以推定電鍍速度，在離子鍍中，除了物品以外，裝置內(nèi)表面也同樣有膜的堆積，造成損失。在濕法電鍍中，每經(jīng)過一個(gè)電鍍槽、反應(yīng)槽都有一個(gè)水洗工序，如果其清洗廢水處理不當(dāng)，會污染放流水域。另一方面，降低毒害物質(zhì)含量的低濃度處理液和公害因素少的電鍍浴的開發(fā)研究盛行，作為表面處理技術(shù)，有一段時(shí)期被迫退步。該產(chǎn)品的高附加值化，引進(jìn)了離子鍍技術(shù)，為了賦予眼鏡架褐色～金色的色...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
07
瀏覽次數(shù)：320
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文是關(guān)于對濕法刻蝕藍(lán)寶石襯底的晶體結(jié)構(gòu)和形貌演變的透徹理解，發(fā)光二極管器件對于揭示蝕刻機(jī)制和生產(chǎn)改善氮化鎵基性能的優(yōu)化功率穩(wěn)定器至關(guān)重要。關(guān)于以往濕式蝕刻條件下的CPSS樣品的結(jié)晶學(xué)和地形演化進(jìn)行互補(bǔ)的SEM和AFM 特性。使用2英寸c面藍(lán)寶石晶片制備CPSS圖案，六邊形對稱的圓柱形光刻膠陣列通過標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝直接制作在c面藍(lán)寶石上，單個(gè)圓柱體的直徑和高度分別為2.1 微米和2.5 微米，使用圓柱形光致抗蝕劑陣列作為蝕刻掩模對藍(lán)寶石襯底進(jìn)行電感耦合等離子體(BCl3/H2)蝕刻，以產(chǎn)生與光致抗蝕劑陣列具有相同周期性的錐形圖案，用于濕法蝕刻測試的尺寸為10毫米× 10毫米× 0.4毫米的CPSS樣品是從2英寸的晶片上切割下來的。由于普通玻璃器皿無法承受高溫下的濃酸侵蝕，用于濕法蝕刻的燒杯、提籃、蓋板和熱電偶保護(hù)管都是用高純度石英砂定制的；石英燒杯的尺寸為70毫米× 100毫米，壁厚為4毫米，石英提籃，即一個(gè)L形石英部件，由石英處理?xiàng)U和槽板組成，最多可容納12個(gè)樣品。燒杯反應(yīng)器的示意圖如圖1所示。 圖1我們采用了特殊的雙蓋板設(shè)計(jì)，通過在加熱和蝕刻過程中用重疊的蓋板蓋住燒杯口，將蒸發(fā)引起的蝕刻劑損失降至最低，便于在特定時(shí)間方便地移除/重新進(jìn)入承載籃(和樣品)，而無需移除大蓋板。大蓋板尺寸為80 毫米 &...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
07
瀏覽次數(shù)：142
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料表面紋理化是通過增加光捕獲來提高硅基太陽能電池轉(zhuǎn)換效率的方法之一，采用含異丙醇(IPA)和水合肼的氫氧化鈉（氫氧化鈉）堿性蝕刻溶液對p型硅（100）表面進(jìn)行各向異性紋理，用反射光譜儀研究了蝕刻晶片的光學(xué)性能，用掃描電鏡(SEM)對其進(jìn)行了表面形貌研究，并且研究了氫氧化鈉濃度對蝕刻晶片的影響，通過應(yīng)用最佳濃度的堿性溶液（氫氧化鈉）得到了表面反射率的最佳值。采用電阻率范圍為1-35Ωcm的高摻雜p型硅（100）晶片作為襯底，實(shí)驗(yàn)在厚度為250微米的正方形樣品(20mm×20mm)上進(jìn)行，在蝕刻之前，使用傳統(tǒng)的RCA方法對硅表面進(jìn)行化學(xué)清洗，以去除表面上的顆粒物，采用該方法，將底物依次在1：1：5的NH4OH：按體積)H2O2：H2O中浸泡10分鐘，HF1：50（按體積）H2O20s，然后在鹽酸：過氧化氫：水的1：1：6（按體積）中浸泡10分鐘，然后用去離子水(DI)清洗樣品。用兩步化學(xué)蝕刻工藝制備了硅錐體結(jié)構(gòu)：在第一步，將硅襯底浸于異丙醇（丙醇）、氫氧化鈉和水合肼的混合物中，在85°C下浸泡1小時(shí)；第二步，將樣品浸泡在室溫下的氯化氫(鹽酸，0.1M)中24h，在硅的紋理形成過程中，羥基離子（OH-）與兩個(gè)硅懸垂鍵結(jié)合，硅氧鍵使兩個(gè)硅背鍵變?nèi)?，因此，形成了氫氧化硅配合物，?jīng)過這個(gè)過程，形成了單硅酸。 圖2蝕刻表面的形貌與溫...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
07
瀏覽次數(shù)：421
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料引言無電沉積技術(shù)是一種重要的非導(dǎo)電材料金屬化方法。與其他方法(化學(xué)氣相沉積/PVD、等離子噴涂或電沉積)相比，這也是在陶瓷或聚合物材料上生成薄金屬膜的最簡單方法之一。它被發(fā)現(xiàn)對幾個(gè)微技術(shù)組件的互連應(yīng)用非常有用。電致發(fā)光提供高選擇性，允許自對準(zhǔn)沉積，從而節(jié)省光刻步驟。ED方法也非常通用，可以生產(chǎn)多組分薄膜。此外，許多金屬和合金可以生產(chǎn)出高質(zhì)量的薄膜。ED的其他優(yōu)點(diǎn)是:金屬純度高，工作溫度低，平面形貌，成本低，適合大規(guī)模生產(chǎn)。處理的目的是為金屬原子沉積產(chǎn)生成核點(diǎn)。電鍍前的處理過程包括四個(gè)階段:(I)酸性洗滌劑(去除有機(jī)物和指紋污染)，(ii)粗化步驟(使陶瓷的致密表面變得粗糙，以增加沉積金屬膜對陶瓷的粘合強(qiáng)度)，(iii)活化(錫、鈀催化劑)。通過比較在陶瓷表面上進(jìn)行處理前后的接觸角來驗(yàn)證處理的效果。然后，在氧化鋁陶瓷上進(jìn)行銅和鎳的電化學(xué)沉積，并用掃描電子顯微鏡評價(jià)沉積膜的形貌。 實(shí)驗(yàn)圖1顯示了使用表面處理和ED工藝在氧化鋁顆粒上無電沉積銅的示意圖。表面處理過程包括清洗、粗化、活化和后活化四個(gè)階段。 圖1 銅在表面氧化鋁粒子上的沉積示意圖 表面處理后，使用化學(xué)鍍鎳-磷和銅溶液。鎳和銅溶液含有:離子源、還原劑、絡(luò)合劑、緩沖劑和穩(wěn)定劑。鎳和銅的沉積溫度分別為400和300℃，而鎳的Ph值為5、8...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
05
瀏覽次數(shù)：61
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料本文研究了化學(xué)預(yù)處理對硅表面質(zhì)量和紋理均勻性的影響，結(jié)果表明，為了更好的紋理均勻性，鋸晶片的初始硅表面應(yīng)處理以清除有機(jī)和金屬污染，然后去除有機(jī)溶劑痕跡并看到損壞的硅層蝕刻，對光致發(fā)光衰減的額外測量證實(shí)了由a-si：H鈍化的紋理晶片的高質(zhì)量和均勻性，本文研究了表面制備對硅片紋理均勻性的影響。采用光學(xué)顯微鏡、蔡司光學(xué)顯微鏡和光學(xué)CIS掃描儀進(jìn)行初級表面表征，表面掃描為所有樣品提供了相同的明亮和對比度設(shè)置，為了揭示受損硅層的存在，在紋理化100nm的a-Si：H后用牛津等離子體設(shè)備將其沉積在每個(gè)硅表面，然后進(jìn)行光致發(fā)光(PL)衰變測量。此外，硅中的PL衰減密切地反映了少數(shù)載流子的動力學(xué)，可用于局部壽命值的估計(jì)，采用圖2所示的實(shí)驗(yàn)裝置進(jìn)行了二維PL衰減時(shí)間的測量。 圖2在樣品1的表面，未進(jìn)行預(yù)處理(圖3a)，存在一些局部不均勻的區(qū)域，主要是由于漿液鋸切的影響，在20%氫氧化鉀之前的紋理處理中，去除10m的損傷層，減少了不均勻性的數(shù)量(圖3b)，不含IPA的濃縮加熱氫氧化鉀溶液導(dǎo)致硅表面窒息。包括用來去除有機(jī)污染的四氯化碳→IPA清洗階段，導(dǎo)致了紋理化后硅表面的不均勻性的增加(圖3c)，這可能是由于有機(jī)溶劑從粗糙的切割硅片表面去除的困難，有機(jī)物的痕跡會影響局部硅蝕刻速率，從而導(dǎo)致紋理形成后的不均勻性(圖4b)，其中小金字塔沿著大金字塔形成。這種金...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
04
瀏覽次數(shù)：72
掃碼添加微信，獲取更多半導(dǎo)體相關(guān)資料我們演示了一種使用液體浸沒法清洗納米預(yù)制氮化硅光柵上的鈉原子沉積物，而不損壞光柵的方法。成功清洗光柵的可能性取決于其物理參數(shù)和所使用的液體類型，我們提出了關(guān)于液體和光柵棒之間的表面張力相互作用的計(jì)算，并推導(dǎo)出了能夠經(jīng)受浸泡的最大光柵棒跨。圖1顯示了表面有鈉沉積物的光柵的原子力顯微鏡(AFM)圖像，以及浸沒在液體后清潔的同一光柵，為了清潔格柵，首先將其放入丙酮中，然后用水沖洗丙酮（水是鈉和氧化鈉的良好溶劑）再次用丙酮沖洗格柵，讓其干燥，這樣格柵暴露在水中，但從未暴露在水-空氣邊界，丙酮用于緩沖光柵，防止其直接浸入水中，因?yàn)楸谋砻鎻埩π∮谒?#160;圖1用100納米光柵重復(fù)該過程，也沒有損壞光柵，盡管原子力顯微鏡圖像顯示沒有可見的損壞，但光柵干燥后可能會留下一層薄膜。為了檢查透射特性仍然完好無損，在掃描電鏡中使用相同程序清洗的100納米周期光柵來觀察衍射，從而證明光柵仍然相干地透射5千電子伏的電子波。 圖3雖然這些試驗(yàn)都很成功，但也有光柵被水浸損壞的例子，如圖3所示，左側(cè)圖像是清潔且未損壞的光柵的掃描電鏡圖像，而右側(cè)圖像是未成功浸入水中的光柵。格柵條聚集在一起，可能是由于干燥液體的表面張力將它們聚集成2至5條的塊狀，為了確定哪些光柵可能在液體中浸泡后仍然存在，我們對光柵清洗過程的機(jī)理進(jìn)行了計(jì)算。另外如果我們使用丙酮作為我們的第一個(gè)也...
發(fā)布時(shí)間:
2022
-
03
-
04
瀏覽次數(shù)：130