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刻蝕
刻蝕(英語(yǔ):etching)是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對(duì)于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過(guò)程中出現(xiàn)失誤,將造成難以恢復(fù)的硅片報(bào)廢,因此必須進(jìn)行嚴(yán)格的工藝流程控制。半導(dǎo)體器件的每一層都會(huì)經(jīng)歷多個(gè)刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻,光刻對(duì)材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清潔度。 但是,對(duì)于電子束刻蝕,由于電子的波長(zhǎng)極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因?yàn)椴恍枰谀0澹虼藢?duì)平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設(shè)備昂貴。
對(duì)于大多數(shù)刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會(huì)通過(guò)“罩”予以保護(hù),這種罩不能被刻蝕,這樣就能對(duì)層上的特定部分進(jìn)行選擇性地移除。在有的情況中,罩的材料為光阻性的,這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中,刻蝕罩需要耐受某些化學(xué)物質(zhì),氮化硅就可以用來(lái)制造這樣的“罩”。