光學(xué)材料的干法刻蝕研究
摘?要：本文對化學(xué)材料二氧化硅的干法刻蝕工藝進行研究，運用反應(yīng)離子刻
蝕設(shè)備對二氧化硅進行了刻蝕實驗，通過對不同工藝條件下二氧化硅的刻蝕速
率、均勻性等參數(shù)對比，最終得出了二氧化硅等同類光學(xué)材料最佳的干法刻蝕
工藝條件。
關(guān)鍵詞：光學(xué)材料；干法刻蝕；二氧化硅；工藝條件
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1.反應(yīng)離子刻蝕的基本原理分析射頻輝光放電后會使反應(yīng)氣體被擊穿從而產(chǎn)生刻蝕所需要的等離子體，等離子體中不僅包含正離子和負離子，同時也含有可以與刻蝕樣品表面發(fā)生反應(yīng)的游離基和自由電子，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用化學(xué)作用進行刻蝕的基本原理。而陰離子和陽離子在電場作用下可以射向刻蝕樣品的表面，從而實現(xiàn)對刻蝕樣品的物理轟炸，這便是反應(yīng)離子刻蝕中應(yīng)用物理作用的基本原理，而通過物理作用和化學(xué)作用的結(jié)合便可以完成對樣品的刻蝕。
2.反應(yīng)離子刻蝕工藝研究內(nèi)容及方法
關(guān)于光學(xué)材料在不同工藝條件下的反應(yīng)離子刻蝕研究，在實驗過程中將實驗硅片作為基礎(chǔ)材料，并通過CVD技術(shù)使實驗硅片生成實驗所需要的二氧化硅層，在一定的沉積工藝條件下保證所制備的二氧化硅薄膜具有實驗所需要的各種性質(zhì)，并保證其致密性、折射率等都可以達到光學(xué)材料所具備的相應(yīng)標準，這樣才能確保實驗結(jié)果在光學(xué)材料干法刻蝕應(yīng)用中的有效性。二氧化硅膜在滿足標準后要對其均勻性進行檢測，可以運用橢偏儀對二氧化硅膜的厚度與折射率進行測量，這樣才能使實驗結(jié)果完全可以代表硅片表面在干法刻蝕工藝中的實際膜厚，對保證該實驗結(jié)果的合理性、科學(xué)性、準確性以及有效性有著重要意義。反應(yīng)離子刻蝕工藝實驗過程中將CHF3作為刻蝕氣體，當刻蝕氣體在反應(yīng)室遇到輝光放電會發(fā)生下列化學(xué)反應(yīng)：CHF3+e-→CHF2++F（游離基）+2e-而在化學(xué)反應(yīng)之后所生成的游離基可以與樣品表面的SiO2發(fā)生以下反應(yīng)：
SiO2+4F→SiF4↑+O2↑
二氧化硅在化學(xué)反應(yīng)中所分解出來的氧離子會與CHF2+基團發(fā)生反應(yīng)，并可以釋放出多種揮發(fā)性氣體，在刻蝕工藝中需要將這些氣體從反應(yīng)腔體中徹底抽出?？涛g實驗后要對剩余的二氧化硅膜進行再次測量，通過與第一次測量數(shù)據(jù)的對比便可以通過定量計算的方式來確定刻蝕速率及均勻性等，這也是該實驗最后所需要的研究的各項干法刻蝕參數(shù)。
3.?反應(yīng)離子刻蝕工藝實驗結(jié)果分析
本文在實驗過程中通過改變反應(yīng)離子刻蝕工藝條件來獲取實驗結(jié)果，表1是不同氧氣流量下二氧化硅的刻蝕速率及選擇比，基于四次實驗結(jié)果對反應(yīng)離子刻蝕工藝條件變化對刻蝕速率、均勻性等方面的影響進行分析。圖1是本文通過實驗結(jié)果對氧氣流量與選擇關(guān)系的分析。
（1）刻蝕氣體流量對刻蝕效率的影響。通過實驗結(jié)果我們可以分析出刻蝕氣體流量與樣品刻蝕效率的對比關(guān)系，在實驗中不斷加大刻蝕氣體流量會使反應(yīng)氣體濃度不斷上升，從而使二氧化硅在刻蝕過程中表面受到的化學(xué)作用和物理作用更加充分，這在很大程度上提高了樣品的整體刻蝕效率，但隨著氣體流量逐漸接近飽和狀態(tài)，真正參與化學(xué)作用和物理作用的氣體十分有限，這樣便會導(dǎo)致樣品在刻蝕過程中的刻蝕效率受到很大限制。如果氣體流量在氣體達到飽和狀態(tài)后依舊增加，這樣會使反應(yīng)離子之間的碰撞更加激烈，離子碰撞會消耗其自身一定的能量，而這會在很大程度上削弱離子的物理作用，從而導(dǎo)致樣品在實驗過程中的刻蝕效率受到很大削弱，所以，接近飽和狀態(tài)的氣體流量是最佳工藝條件，其對提高刻蝕效率、節(jié)約氣體資源有著重要作用。
（2）溫度和氣體壓強對刻蝕效率的影響。光學(xué)材料在干法刻蝕過程中，由于化學(xué)作用和物理作用，會使粒子在相互碰撞及撞擊樣品表面的過程中產(chǎn)生一定的熱量，而熱量過高則會導(dǎo)致二氧化硅樣品表面受到損傷，因此，反應(yīng)離子刻蝕過程中需要通過冷卻系統(tǒng)來對樣品表面溫度進行控制，在實驗過程中對二氧化硅樣品進行溫度控制不會對刻蝕效率產(chǎn)生影響，或者是溫度變化對二氧化硅表面的刻蝕效率有著很小的影響。在實驗過程中，將射頻功率和氣體流量控制在穩(wěn)定條件下，逐漸增大氣體壓強，并對實驗結(jié)果進行對比，發(fā)現(xiàn)當氣體壓強逐漸升高的時候刻蝕效率會有很大提升，這是因為氣體壓強的增加會使反應(yīng)室中的反應(yīng)氣體的濃度也隨之增加，這樣便在很大程度上提高了化學(xué)反應(yīng)的效率，從而使二氧化硅樣品表面的整體刻蝕效率也有很大提升，但是在氣體壓強增加到一定程度時會使反應(yīng)離子接近或達到飽和狀態(tài)，此時如果繼續(xù)增大氣體壓強則會加速粒子之間的碰撞使其能量被消耗，很大程度上限制刻蝕效率。
4.結(jié)語
通過光學(xué)材料的干法刻蝕實驗，我們可以證明射頻功率、反應(yīng)氣壓、氣流量以及樣品冷卻溫度等因素在光學(xué)材料的干法刻蝕過程中都會對其刻蝕速率及均勻性產(chǎn)生一定影響，所以在光學(xué)材料干法刻蝕工藝中，我們可以通過控制上述幾個因素，通過改變刻蝕工藝條件來將刻蝕速率與均勻性控制在最佳水平。
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