?一、電池片工藝流程
?????? 制絨(INTEX)---擴(kuò)散（DIFF）---后清洗（刻邊/去PSG）---鍍減反射膜（PECVD）---絲網(wǎng)、燒結(jié)（PRINTER）---測試、分選（TESTER+SORTER）---包裝（PACKING）。

二、前清洗（制絨）知識(shí)簡介
?????? 1、RENA前清洗工序的目的：
?????? （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層（來自硅棒切割的物理損傷）；
?????? （2）清除表面油污（利用HF）和金屬雜質(zhì)（利用HCl）；
　?。?）形成起伏不平的絨面，利用陷光原理，增加對(duì)太陽光的吸收，在某種程度上增加了PN結(jié)面積，提高短路電流（Isc），最終提高電池光電轉(zhuǎn)換效率。
????? ?2、前清洗工藝步驟：制絨→堿洗?→酸洗→吹干
????? ?Etch?bath：刻蝕槽，用于制絨。所用溶液為HF+HNO3?，作用：
　　?? （1）去除硅片表面的機(jī)械損傷層；
　　?? （2）形成無規(guī)則絨面。
　?? 　Alkaline?Rinse：堿洗槽。所用溶液為KOH，作用：
　　?? （1）對(duì)形成的多孔硅表面進(jìn)行清洗；
　　?? （2）中和前道刻蝕后殘留在硅片表面的酸液。
　　?? Acidic?Rinse：酸洗槽。所用溶液為HCl+HF，作用：
　　?? （1）中和前道堿洗后殘留在硅片表面的堿液；
　　?? （2）HF可去除硅片表面氧化層（SiO2），形成疏水表面，便于吹干；
　　?? （3）HCl中的Cl-有攜帶金屬離子的能力，可以用于去除硅片表面金屬離子。
　3、酸制絨工藝涉及的反應(yīng)方程式:
??HNO3+Si=SiO2+NOx↑+H2O
　　 SiO2+ 4HF=SiF4+2H2O
　　 SiF4+2HF=H2[SiF6]
　　 Si+2KOH+H2O →K2SiO3 +2H2
　4、前清洗工序工藝要求
　?? ?。?）片子表面5S控制
????? ?不容許用手摸片子的表片，要勤換手套，避免擴(kuò)散后出現(xiàn)臟片。
　　?? （2）稱重
　　?? a.每批片子的腐蝕深度都要檢測，不允許編造數(shù)據(jù)，搞混批次等。
　　?? b.要求每批測量4片。
　　?? c.放測量片時(shí)，把握均衡原則。如第一批放在1.3.5.7道，下一批則放在2.4.6.8道，便于檢測設(shè)備穩(wěn)定性以及溶液的均勻性。
　　?? （3）刻蝕槽液面的注意事項(xiàng)：
　?? 　正常情況下液面均處于綠色，如果一旦在流片過程中顏色改變，立即通知工藝人員。
　?? ?。?）產(chǎn)線上沒有充足的片源時(shí)，工藝要求:
　?? 　a.停機(jī)1小時(shí)以上，要將刻蝕槽的藥液排到tank，減少藥液的揮發(fā)。
　?? 　b.停機(jī)15分鐘以上要用水槍沖洗堿槽噴淋及風(fēng)刀，以防酸堿形成的結(jié)晶鹽堵塞噴淋口及風(fēng)刀。
　?? 　c.停機(jī)1h以上，要跑假片，至少一批（400片）且要在生產(chǎn)前半小時(shí)用水槍沖洗風(fēng)刀處的滾輪，杜絕制絨后的片子有滾輪印。
　?? 　(5)前清洗到擴(kuò)散的產(chǎn)品時(shí)間:
　?? 　最長不能超過4小時(shí),時(shí)間過長硅片會(huì)污染氧化，到擴(kuò)散污染爐管,從?而影響后面的電性能及效率。
　5.?前清洗工序常見工藝問題
　?? 　常見故障原因及解決方法：
　　?? （1）前清洗工藝刻蝕深度不穩(wěn)定
?????? a.觀察來片是否有異常，或者來片一批中是否是不同晶棒組成，因?yàn)椴煌钠訒?huì)對(duì)應(yīng)不同的刻蝕速率。
?????? b.查看溶液顏色，正常的顏色應(yīng)該是灰色偏綠。如果覺得顏色過淺，流假片，一般以400片為一個(gè)循環(huán)。然后測試4片硅片刻蝕深度。
　　?? 硅片表面有大面積黃斑觀察堿槽溶液是否在循環(huán)，若沒有循環(huán)，手動(dòng)打開循環(huán)．若有循環(huán)則說明堿濃度不夠，需要補(bǔ)加堿。
　?? 　硅片表面有小白條觀察氣刀是否被堵，通過查看硅片通過氣刀下方時(shí)表面液體有無被吹干判斷。
　　?? （2）滾輪速度較低或較高
?????? a.一般我們要求滾輪在1.0~1.2的速度下流片，因?yàn)檫^低的速度會(huì)影響產(chǎn)量，過高的速度風(fēng)刀很難將硅片吹干。所以如果滾輪速度小于1.0，需要手動(dòng)加液，一般按2升HF，5升HNO3進(jìn)行補(bǔ)液。同時(shí)可以將溫度提高，以1度為一個(gè)單位升高（可在5~8度之間進(jìn)行調(diào)整）。但是對(duì)于溫度的設(shè)定，我們一般選擇較低的溫度，因?yàn)檩^低的溫度下可以得到很穩(wěn)定的化學(xué)反應(yīng)，所以溫度一般不建議調(diào)高；
　　b.如果滾輪速度過高，在溫度降低仍不能滿足要求的情況下，可以加水，但是僅能以2升為一個(gè)單位加入。
　　?? （3）前清洗工藝堿槽或酸槽不循環(huán)觀察設(shè)備下面的循環(huán)平衡有沒有冒泡泡。
　　?? 原因分析：a:?可能風(fēng)刀堵塞，使溶液跑到水槽2中；
?　??????????? ??????????? b:?可能噴淋堵塞；
　?????????????????????? ? c:?可能濾芯堵塞；
??????????解決方法：a:先期在初始界面處可以發(fā)現(xiàn)各自對(duì)應(yīng)的模板,在“ready”、“not?ready”之間閃動(dòng)，此時(shí)需要工藝立即補(bǔ)液（HCL：HF：DI=3：2：14；KOH：DI=1：10）
　??????????　???? ?? b:通知設(shè)備通風(fēng)刀（冒泡泡）或清洗更換濾芯　
?????? （4）堿槽或酸槽流量變?。ㄑa(bǔ)加了藥水后還沒循環(huán)，浮標(biāo)沉到底部不起來）
??????? 工藝需要檢查槽中溶液是否滿，如果不滿則添藥液；如果是滿的，則通知設(shè)備檢查濾芯是否需要更換或清洗。流量突變，不能達(dá)到工藝設(shè)定流量前清洗流量會(huì)突然變?yōu)?，此時(shí)設(shè)備會(huì)報(bào)警，工藝立即到現(xiàn)場通知生產(chǎn)停止投料，通知設(shè)備人員調(diào)試設(shè)備，然后處理設(shè)備中的硅片，挑出外觀未受影響的硅片繼續(xù)下傳，外觀受影響的隔離處理，水紋片用手可以抹去的，檢查出料處滾輪的干凈程度，一般是出料處風(fēng)刀中間段滾輪出現(xiàn)污染，需要設(shè)備擦拭，如果不嚴(yán)重，流假片也可以將臟東西帶走。