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摘要 ?
? ? ?縮小特征尺寸的另一種選擇是增加集成電路(IC)封裝的密度和功能。模具尺寸和模具厚度已經(jīng)大大減少。 推動薄模具需求的主要因素包括便攜式通信和計算設(shè)備、存儲卡、智能卡、以及CMOS圖像傳感器、混合、箔式柔性系統(tǒng)、led、MEMS、太陽能和電源設(shè)備。
關(guān)鍵詞:化學(xué)減薄、蝕刻、應(yīng)力消除、波蝕、線性掃描、超薄晶片、處理、非接觸卡盤。
介紹
? ? ? ?研磨、拋光和稀釋技術(shù);以及將晶圓與載體結(jié)合以進行處理、細化或加工的許多方法。因此,有一種新的化學(xué)稀釋技術(shù),它可以將晶片稀釋到50μm或更少, 具有更好的均勻性,而且成本比傳統(tǒng)的稀釋更低。
減薄和應(yīng)力消除
? ? ? 化學(xué)稀釋是消除亞表面損傷和減輕磨削和拋光留下的應(yīng)力的必要步驟?;瘜W(xué)稀釋也是一種替代拋光(磨削后)的方法。
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圖2。材料去除均勻性(總厚度變化或TTV)典型的波蝕線性掃描減薄過程如上所示。在去掉75μm后,最終的厚度為112μm, TTV的范圍從4”晶片的±1.5μm到8”晶片的±2.5μm。
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