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摘要
? ? ? 在硅片上形成電路的各種傳感器、通信、存儲設(shè)備等半導(dǎo)體設(shè)備(芯片)是必不可少的。一般來說，“細(xì)化”和“最小化”都是必需的。另一方面，模具強(qiáng)度的提高對于提高制造工藝的良率和提高最終產(chǎn)品的耐久性也非常重要。
介紹
? ? ? 在半導(dǎo)體器件的前端生產(chǎn)過程中，電子電路如晶體管是在硅片表面形成的。隨后，在后端生產(chǎn)中，對晶圓背面進(jìn)行薄化，并對晶圓進(jìn)行切丁模擬。近年來，對更薄芯片的需求一直在增長，以支持較低的封裝高度，并允許多個芯片堆疊和封裝在封裝中。
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圖1鋸齒圖像
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圖2 DBG工藝流程
評價方法
? ? ? 半導(dǎo)體設(shè)備與材料國際(SEMI)將三點(diǎn)彎曲的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定為G86-0303[1]，作為測量模具強(qiáng)度的方法。在三點(diǎn)彎曲試驗中，如圖4所示，切屑是簡單支撐，兩端不固定，用壓頭連續(xù)施加垂直載荷，直至切屑斷裂。
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圖5三點(diǎn)彎曲模強(qiáng)度(鋸痕角度對比)
應(yīng)力緩解效應(yīng)
? ? ? 評估了消除鏡面磨削損傷和鋸痕的應(yīng)力消除效果。利用上述CMP和DP去除磨后的鏡面，DBG大大減少了后側(cè)切屑，提高了模具強(qiáng)度。
背面切屑的影響
? ? ? 最后，評估了芯片背面四邊產(chǎn)生的切屑對芯片的影響。對比樣品采用DBG工藝，可大大減少背面切屑。針對切屑的背面狀況，對2000輪和DP輪加工的表面進(jìn)行了評價。
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圖7三點(diǎn)彎曲模強(qiáng)度(背面切屑對比)
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