2016
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刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進(jìn)行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個(gè)方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進(jìn)行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學(xué)反應(yīng)過(guò)程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時(shí)金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機(jī)中進(jìn)行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時(shí)，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對(duì)溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤(rùn)劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡1...