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晶片凸點電鍍設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

晶片凸點電鍍設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅(qū)動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應(yīng)的基板上。更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導體設(shè)備官網(wǎng)wxyzlgp.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設(shè)備的相關(guān)方案

IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08

IPA干燥設(shè)備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產(chǎn)量大，效率高設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設(shè)備應(yīng)用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導體設(shè)備有限公司 wxyzlgp.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（wxyzlgp.cn），現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

酸/堿刻蝕機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術(shù)，一般是借助等離子體中產(chǎn)生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術(shù)，即在被刻蝕的區(qū)域內(nèi)，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術(shù)；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內(nèi)進行腐蝕的技術(shù)，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應(yīng)過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術(shù)，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術(shù)。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調(diào)整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡(luò)合物，利用這個性質(zhì)可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高溫磷酸清洗機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

設(shè)備名稱：高溫磷酸清洗機設(shè)備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據(jù)實際工藝時間可調(diào)清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質(zhì)10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質(zhì)碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結(jié)構(gòu)機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調(diào)式地腳，可高低調(diào)整及鎖定功能DIW上水管路及構(gòu)件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質(zhì)為PP管排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質(zhì)10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置： ●設(shè)有EMO(急停裝置)， ●強電弱點隔離 ●設(shè)備三層防漏托盤傾斜漏液報警設(shè)備整體置于防漏托盤內(nèi)臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)

芯片鍍金設(shè)備-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

芯片鍍金設(shè)備-華林科納（江蘇）CSE 晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領(lǐng)域中應(yīng)用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設(shè)備針對這些應(yīng)用研發(fā)和生產(chǎn)的，對所有客戶提供工藝和設(shè)備一體化服務(wù)。產(chǎn)品分生產(chǎn)型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設(shè)備應(yīng)用領(lǐng)域：半導體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應(yīng)用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設(shè)備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產(chǎn)品名稱：芯片鍍金設(shè)備 2. 產(chǎn)品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內(nèi)置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領(lǐng)PP 6. 四面溢流設(shè)計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調(diào)。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調(diào)。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺，風量可調(diào)。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導體設(shè)備有限公司 wxyzlgp.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設(shè)備可以關(guān)注華林科納（江蘇）半導體設(shè)備官網(wǎng)w...

異質(zhì)結(jié)電池HIT HJT制絨清洗設(shè)備

發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06

異質(zhì)結(jié)高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設(shè)備—華林科納CSE 設(shè)備用途：對高效太陽能電池異質(zhì)結(jié)電池片進行制絨、清洗設(shè)備工藝流程：l H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干l O3工藝：預(yù)清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預(yù)脫水→烘干技術(shù)特點：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應(yīng)超時l 結(jié)構(gòu)布局緊湊合理并且采用雙層槽結(jié)構(gòu)，設(shè)備占地空間小l 先進的400片結(jié)構(gòu)，有效提高設(shè)備工藝產(chǎn)能l 工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結(jié)合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l 補配液采用槽內(nèi)與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調(diào)節(jié)氣閥控流結(jié)構(gòu)，有效保證初配時間和微量精補配液的精度l 所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質(zhì)析出l 采用最新低溫烘干技術(shù)，保證槽內(nèi)潔凈度和溫度控制精度技術(shù)參數(shù)：l 設(shè)備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 產(chǎn)能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多異質(zhì)結(jié)高效電池制絨清洗相關(guān)設(shè)備，可以關(guān)注網(wǎng)址：http://wxyzlgp.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

單腔立式甩干機-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05

單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝設(shè)備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機優(yōu) 點清洗系統(tǒng)應(yīng)用于各種清洗和干燥工藝不同配置（可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔）適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設(shè)備帶有滾輪可移動優(yōu)越的可靠性獨特的模塊化結(jié)構(gòu) 極其便于維修易于使用和操作一般特征適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝標準的高邊和低邊花籃可選內(nèi)置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝用冷或熱的N2輔助晶圓干燥離心頭容易更換圖形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步多等級用戶密去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收電阻率監(jiān)測裝置機械手自動加載可放置臺面操作的設(shè)備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪溶劑滅火裝置適用特殊設(shè)計的花籃設(shè)備制造商華林科納（江蘇）半導體設(shè)備有限公司 wxyzlgp.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（wxyzlgp.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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