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晶片凸點電鍍設備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

晶片凸點電鍍設備-華林科納（江蘇）CSE 傳統(tǒng)的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后，送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝（DIP），還是四邊引線扁平封裝（QFP），封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小，所以要求器件的體積越小越好，像有300多個引出端的液晶顯示器（LCD）驅動電路，必須采用WLP的芯片尺寸封裝（CSP）。有些特殊的高頻器件，為了減小引線電感的影響，要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下，華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝（CSP），方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點，例如金凸點、焊料凸點、銦凸點，然后直接倒裝焊在相應的基板上。更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網wxyzlgp.cn；現(xiàn)在咨詢400-8768-096，18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案

IPA干燥系統(tǒng)設備-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 08

IPA干燥設備-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工太陽能電池片分立器件 GPP等行業(yè)中晶片的沖洗干燥工藝，單臺產量大，效率高設備名稱華林科納（江蘇）CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規(guī)格工藝時間：一般親水性晶圓片： ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片： ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量：任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點：干燥后無斑點IPA 消耗量： ≤ 30 ml / run 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 wxyzlgp.cn 400-8768-096 ；18913575037IPA 干燥系統(tǒng)組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統(tǒng)設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（wxyzlgp.cn），現(xiàn)在熱線咨詢0513- 87733829可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

酸/堿刻蝕機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

刻蝕方法分為：干法刻蝕和濕法刻蝕，干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術，一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區(qū)，它是各向異性的刻蝕技術，即在被刻蝕的區(qū)域內，各個方向上的刻蝕速度不同，通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術；濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術，這是各向同性的刻蝕方法，利用化學反應過程去除待刻蝕區(qū)域的薄膜材料，通常SiO2采用濕法刻蝕技術，有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程：二氧化硅腐蝕：在二氧化硅硅片腐蝕機中進行，腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時，腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高，腐蝕越快，摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感，溫度越高，腐蝕越快。具體步驟為：1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）中浸泡10—15S，上下晃動，浸潤劑（FUJI FILM DRIWEL）的作用是減小硅片的表面張力，使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸，從而達到充分腐蝕；2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液（氟化銨溶液）的槽中浸泡，上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分，腐蝕時間可以調整，直到二氧化硅腐蝕干凈為止；3、沖純水；4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為：SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6（六氟硅酸）是可溶于水的絡合物，利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現(xiàn)選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩(wěn)定的腐蝕速率，腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區(qū)的氧化層較發(fā)射區(qū)的厚，以前小功率三極管的三次光刻（引線孔光刻）一般基極光刻和發(fā)射極光刻分步光刻，現(xiàn)在大部分都改為一步光刻，只有少部分品種還分步光刻，比如2XN003，2XN004，2XN013，2XP013等...

高溫磷酸清洗機

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

設備名稱：高溫磷酸清洗機設備型號：CSE-SZ2011-16整機尺寸：約2800mm（L）×1200mm(w)×1900mm（H）節(jié)拍：根據實際工藝時間可調清洗量：批量清洗時，采用提籃裝片，單次清洗圓片的數(shù)量要求如下2＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于25片4＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片6＂外延片，每次不少于1藍，每籃不少于20片框架材料:優(yōu)質10mm瓷白PP板機殼，優(yōu)質碳鋼骨架，外包3mmPP板防腐機臺底部：廢液排放管路，防漏液盤結構機臺支腳：有滑輪裝置及固定裝置，并且通過可調式地腳，可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材，排水管路材質為PP管排風：位于機臺后上部工作照明：上方防酸型照明臺面板為優(yōu)質10mmPP板（帶有圓形漏液孔，清除臺面殘留液體）附件：水、氣槍左右各兩套控制方式：PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制；安全保護裝置： ●設有EMO(急停裝置)， ●強電弱點隔離 ●設備三層防漏托盤傾斜漏液報警設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖：各槽工藝參數(shù)

芯片鍍金設備-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

芯片鍍金設備-華林科納（江蘇）CSE 晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。華林科納（江蘇）的晶圓電鍍設備針對這些應用研發(fā)和生產的，對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發(fā)型兩大類，適合不同客戶的需求。設備名稱華林科納（江蘇）CSE-芯片鍍金設備應用領域：半導體、MEMS、LED操作模式：PLC集成控制具體應用：電鍍、電鑄工藝類型：電鍍Au，Cu，Ni，Sn,Ag晶圓尺寸：8inch或以下尺寸，單片或多片基本配置：操作臺（1套），主電鍍槽（2套），腐蝕槽（2套），清洗（1套）設備功能和特點（不同電鍍工藝配置有所差異） 1. 產品名稱：芯片鍍金設備 2. 產品系列：CSE-XL3. 晶圓尺寸：4-6inch. 4. 集成控制系統(tǒng)，內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料：勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統(tǒng)：70+/-1C 8. 循環(huán)過濾出系統(tǒng)，流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置，頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統(tǒng)。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺，風量可調。 16. 活化腐蝕系統(tǒng)。 17. 三級清洗系統(tǒng)。 18. 電鍍液體系：均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝：表面均勻，厚度1-100um，均勻性5% 設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 wxyzlgp.cn 400-8768-096 ；18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注華林科納（江蘇）半導體設備官網w...

異質結電池HIT HJT制絨清洗設備

發(fā)布時間： 2017 - 04 - 06

異質結高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設備—華林科納CSE 設備用途：對高效太陽能電池異質結電池片進行制絨、清洗設備工藝流程：l H2O2工藝：SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干l O3工藝：預清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干技術特點：l 兼容MES、UPS和RFID功能l 機械手分配合理，有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時l 結構布局緊湊合理并且采用雙層槽結構，設備占地空間小l 先進的400片結構，有效提高設備工藝產能l 工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結合，有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l 補配液采用槽內與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測，以及可調節(jié)氣閥控流結構，有效保證初配時間和微量精補配液的精度l 所有與液體接觸材料優(yōu)化升級，避免材料使用雜質析出l 采用最新低溫烘干技術，保證槽內潔凈度和溫度控制精度技術參數(shù)：l 設備尺寸（mm）：26600(L)*2800(W)*2570(H)l Uptime：≥95%l 破片率：≤0.05%l MTTR：4hl MTBF：450hl 產能：6000pcs/hl 功率消耗：398KW更多異質結高效電池制絨清洗相關設備，可以關注網址：http://wxyzlgp.cn，熱線：400-8768-096，18913575037

單腔立式甩干機-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 12 - 05

單腔立式甩干機-華林科納CSE華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機系統(tǒng)應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱華林科納（江蘇）CSE-單腔立式甩干機優(yōu) 點清洗系統(tǒng)應用于各種清洗和干燥工藝不同配置（可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔）適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地，設備帶有滾輪可移動優(yōu)越的可靠性獨特的模塊化結構極其便于維修易于使用和操作一般特征適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝標準的高邊和低邊花籃可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝用冷或熱的N2輔助晶圓干燥離心頭容易更換圖形化的界面：基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏可以編輯10多個菜單，每個菜單可有10步多等級用戶密去靜電裝置安裝于工藝腔室區(qū) 去離子水回收電阻率監(jiān)測裝置機械手自動加載可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統(tǒng) 底座置放不銹鋼滾輪溶劑滅火裝置適用特殊設計的花籃設備制造商華林科納（江蘇）半導體設備有限公司 wxyzlgp.cn 0513-87733829；更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網（wxyzlgp.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8798096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。

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