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外延片清洗機-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

在LED外延及芯片制造領(lǐng)域，濕法設(shè)備占據(jù)約40%以上的工藝，隨著工藝技術(shù)的不斷發(fā)展，濕法設(shè)備已經(jīng)成為LED外延及芯片制造領(lǐng)域的關(guān)鍵設(shè)備，如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側(cè)腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產(chǎn)工藝，現(xiàn)已形成可滿足LED產(chǎn)業(yè)化項目需求的全自動濕法工藝標(biāo)準(zhǔn)成套設(shè)備。 LED 芯片的制造工藝流程為：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設(shè)備設(shè)備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設(shè)備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應(yīng)用領(lǐng)域集成電路、聲表面波（SAW）器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術(shù)系統(tǒng)潔凈性技術(shù)均勻性技術(shù)晶圓片N2干燥技術(shù)模塊化系統(tǒng)集成技術(shù)自動傳輸及精確控制技術(shù)溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術(shù)主要技術(shù)特點系統(tǒng)結(jié)構(gòu)緊湊、安全腔體獨立密封，具有多種功能可實現(xiàn)晶圓干進干出采用工控機控制，功能強大，操作簡便可根據(jù)用戶要求提供個性化解決方案設(shè)備制造商南通華林科納半導(dǎo)體設(shè)備有限公司 wxyzlgp.cn 400-8768-096 ；18913575037更多的外延片清洗設(shè)備相關(guān)資訊可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（wxyzlgp.cn），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導(dǎo)體行業(yè)相關(guān)清洗設(shè)備解決方案。

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

旋轉(zhuǎn)式噴鍍臺結(jié)合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規(guī)格和特殊應(yīng)用要求等特點，在6＂（150mm）晶圓電鍍系統(tǒng)中采用了傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍單元分由兩個部分組成，一為陰極夾具、旋轉(zhuǎn)單元、導(dǎo)線電刷、Ｎ２保護單元組成的陰極回轉(zhuǎn)體，二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍結(jié)構(gòu)示意圖如下：從鍍制結(jié)構(gòu)方式、鍍制工藝應(yīng)用分析可以看出，采用傾斜式旋轉(zhuǎn)噴鍍有以下幾種優(yōu)勢。一是這種結(jié)構(gòu)方式易實現(xiàn)槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中，陰極的旋轉(zhuǎn)運動使槽內(nèi)電場不均問題得以解決，從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉(zhuǎn)的方式，可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產(chǎn)生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射，實現(xiàn)攪拌功能，消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設(shè)計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結(jié)構(gòu)方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產(chǎn)需求。傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍技術(shù)、工藝優(yōu)勢斜式三角鍍槽結(jié)構(gòu)本系統(tǒng)采用傾斜式三角形鍍槽結(jié)構(gòu)，鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行，可得到穩(wěn)定且不易積累氣泡的流場環(huán)境。通過進行相關(guān)模擬、仿真和驗證，鍍液入口采用扇形噴咀式結(jié)構(gòu)，可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩(wěn)定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結(jié)構(gòu)的另一優(yōu)點可使電鍍液的用量減至最少程度。南通華林科納CSE采用傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理，由于結(jié)構(gòu)上的特點，該方法經(jīng)實驗驗證具有：①結(jié)構(gòu)簡單；②工藝參數(shù)控制容易；③有利氣泡的消除；④鍍制均勻性得到提高；⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應(yīng)于小批量、多規(guī)格的電鍍工藝，同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉(zhuǎn)噴鍍系統(tǒng)，目前已批量生產(chǎn)并在工藝線上得到較好的應(yīng)用，產(chǎn)品已通過技術(shù)定型鑒定和用戶驗收。實現(xiàn)的主要工藝指標(biāo)：最大晶...

雙腔甩干機

發(fā)布時間： 2016 - 06 - 22

雙腔甩干機1. 應(yīng)用范圍:l 本機臺適用於半導(dǎo)體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設(shè)備為垂直式雙槽體機臺，可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設(shè)備已超過20年以上的應(yīng)用馬達控制系統(tǒng)設(shè)計, 高穩(wěn)定度Rotor 設(shè)計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨(jìng)設(shè)計,微塵控制於每次運轉(zhuǎn)增加量, 0.3um , 30顆以下. 2. 操作流程3. 圖示 4. 規(guī)格l 機臺內(nèi)皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負(fù)壓軸封設(shè)計，隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質(zhì)加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關(guān)90°C OFF 70°C ON)l Viton材質(zhì)充氣式氣囊及槽後密封環(huán),保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經(jīng)拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉(zhuǎn)子，並按客戶需求指定使用訂做l 轉(zhuǎn)子經(jīng)拋光及電解研磨，並做動態(tài)平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告，氣體不足，傳動異常警告 5. 電控系統(tǒng)l 控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen，整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/，皆可從操作螢?zāi)簧闲薷摹?#216; 儲存能力記憶模組...

枚葉式清洗機-華林科納CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導(dǎo)體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長：單片式清洗裝置的優(yōu)點（與浸漬.槽式比較）1.晶片表面的微粒數(shù)非常少（到25nm可對應(yīng)）例：附著粒子數(shù)…10個/W以下（0.08UM以上粒子）（參考）槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…（例）1%DHF的情況 20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size（根據(jù)每個客戶可以定制）液體濺射（塵埃強制除去）（推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題更多的半導(dǎo)體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設(shè)備相關(guān)信息可以關(guān)注華林科納CSE官網(wǎng)（www.hlkncas.com），現(xiàn)在熱線咨詢400-8768-096；18913575037可立即獲取免費的半導(dǎo)體清洗解決方案。

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-CSE

發(fā)布時間： 2016 - 03 - 07

自動供酸系統(tǒng)（CDS）-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-CDS自動供酸系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N1507設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在自動模式情形...

單片清洗機CSE

發(fā)布時間： 2018 - 01 - 23

單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應(yīng)用于清洗（包括光刻板清洗）刻蝕去膠金屬剝離等；可處理晶圓尺寸2"-12"；可處理晶圓材料：硅砷化鎵磷化銦氮化鎵碳化硅鈮酸鋰鉭酸鋰等；主要應(yīng)用領(lǐng)域：集成電路聲表面波器件微波毫米波器件 MEMS 先進封裝等設(shè) 備名稱CSE-單片清洗機類型單片式適用領(lǐng) 域半導(dǎo)體、太陽能、液晶、MEMS等清洗方式2英寸——12英寸設(shè)備穩(wěn)定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量：1L/min/片4、蝕刻均一性良好（SiO?氧化膜被稀釋HF處理）：≤2%5、干燥時間：≤20S6、藥液回收率：＞95%單片式優(yōu)點1、單片處理時間短（相較于槽式清洗機）2、節(jié)約成本（藥液循環(huán)利用，消耗量遠(yuǎn)低于槽式）3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結(jié)構(gòu)，占地面積小更多的單片（枚葉）式清洗相關(guān)設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體官網(wǎng)，關(guān)注http://wxyzlgp.cn ,400-8768-096，18913575037

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-CSE

發(fā)布時間： 2017 - 12 - 06

氫氟酸HF自動供液系統(tǒng)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導(dǎo)體CSE-氫氟酸供液系統(tǒng) 適用對象：HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途：本設(shè)備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送，經(jīng)管道至設(shè)備；具有自動化程度高，配比精確，操作簡便等特點；具有良好的耐腐蝕性能?？刂颇Ｊ剑菏謩涌刂颇Ｊ?、自動控制模式設(shè)備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸（HF）供液系統(tǒng)設(shè)備型號CSE-CDS-N2601設(shè)計基準(zhǔn)1.供液系統(tǒng)（Chemical Dispense System System）簡稱：CDS2. CDS 將設(shè)置于化學(xué)房內(nèi)：酸堿溶液CDS 系統(tǒng)要求放置防腐性的化學(xué)房；3. 設(shè)備材質(zhì)說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構(gòu)采以WPP 10T 板材，內(nèi)部管路及組件采PFA 451 HP 材質(zhì)；4. 系統(tǒng)為采以化學(xué)原液雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點；5. 過濾器：配有10” PFA材質(zhì)過濾器外殼；6. 供液泵：每種化學(xué)液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質(zhì)的進口隔膜泵；7. Empty Sensor & Level Sensor：酸堿類采用一般型靜電容近接開關(guān)；8. 所有化學(xué)品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統(tǒng)設(shè)備規(guī)格 1. 系統(tǒng)主要功能概述設(shè)備主要功能：每種化學(xué)液體配兩個桶（自動切換）、配兩臺泵（一用一備）、帶過濾器；系統(tǒng)控制單元：配帶OMRON 8”彩色觸摸屏，OMRON品牌PLC系統(tǒng)；2. 操作模式： CDS 系統(tǒng)皆有PLC 作Unit 內(nèi)部流程控制，操作介面以流程方式執(zhí)行，兼具自動化與親和力。在...

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南通華林科納工程師分享RCA 清洗工藝

實驗室常用的改進的RCA 清洗工藝1.水中超聲清洗：灰塵、殘余物去除2.濃硫酸、濃硫酸+雙氧水：表面污染（有機物、重金屬、微粒） BHF去除氧化層（to 疏水性）3.堿洗（雙氧水、氨水、水）：顆粒、有機物去除 BHF去除氧化層（to 疏水性）4.酸洗（雙氧水、鹽酸、水）：微粒、金屬去除 BHF去除氧化層（to 疏水性）5.超純水淋洗：去除離子設(shè)備組成：中央控制系統(tǒng)及晶圓輸入端串聯(lián)式化學(xué)酸槽、堿槽及洗滌槽檢測系統(tǒng)，包括流量監(jiān)測，溫度檢測，酸槽化學(xué)濃度校準(zhǔn) 旋轉(zhuǎn)、干燥設(shè)備南通華林科納專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備包括RCA清洗設(shè)備，兆聲清洗設(shè)備，超聲清洗設(shè)備，更多詳情可以關(guān)注http://wxyzlgp.cn/ ，400-8768-096

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 05

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CSE工程師介紹全自動半導(dǎo)體RCA清洗機

RCA清洗工藝是一種在半導(dǎo)體制造過程中被廣泛應(yīng)用的工藝,是去除硅片表面各類玷污的有效方法。南通華林科納的工程師在本文中簡單介紹了RCA清洗工藝的原理及應(yīng)用。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體器件和集成電路內(nèi)各元件及連線越來越微細(xì)，因此制造過程中，塵粒、金屬等的污染，對晶片內(nèi)電路功能的損壞影響越來越大。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外，集成電路制造工藝過程中均需要對硅片表面進行清洗，以有效地使用化學(xué)溶液清除殘留在硅片表面上的各種雜質(zhì)。硅片是半導(dǎo)體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料，對其表面的清洗是整個硅片制造工藝中極為重要的環(huán)節(jié)之一。半導(dǎo)體領(lǐng)域中的濕式清洗技術(shù)是伴隨設(shè)備的微小化及對產(chǎn)品質(zhì)量要求的不斷提高而提高的，是以 RCA 清洗技術(shù)為基本的框架，經(jīng)過多年的不斷發(fā)展形成。完全清潔的基片表面是實現(xiàn)高性能處理的第一步。如果基底表面不完全清潔，其他處理無論如何控制也達不到高質(zhì)量的要求。目前在國內(nèi)，對硅片表面進行化學(xué)清洗的設(shè)備比較多，但大多屬于手動設(shè)備，在實際應(yīng)用過程中存在工藝一致性差、效率低下、無法適應(yīng)大批量生產(chǎn)等缺點。國外進口的全自動 RCA 清洗機雖然性能優(yōu)越，但售價非常昂貴，使眾多半導(dǎo)體生產(chǎn)廠家望而卻步。鑒于此，南通華林科納CSE自主獨立開發(fā)了全自動半導(dǎo)體RCA 清洗機，經(jīng)過試驗和用戶使用驗證，完全能達到用戶的使用要求。&#...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 06

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兆聲清洗原理介紹

一．簡介兆聲清洗是運用在半導(dǎo)體清洗設(shè)備中的一種比較新穎清洗技術(shù)，它不僅保存了超聲波清洗的優(yōu)點，而且克服了它的不足，它是由高頻（900khz 可根據(jù)實際使用來定）振效應(yīng)并結(jié)合化學(xué)清洗劑的化學(xué)反應(yīng)對硅片進行清洗的。在清洗時，由換能器發(fā)出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續(xù)沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細(xì)小微粒被強制除去并進入到清洗液中。二．作用兆聲波清洗可去掉硅片表面上小于0.2μm的粒子,起到超聲波起不到的作用。這種方法能同時起到機械擦片和化學(xué)清洗兩種方法的作用。目前兆聲波清洗方法已成為拋光片清洗的一種有效方法。三．結(jié)構(gòu)兆聲波清洗的結(jié)構(gòu)主要可以分為放著清洗晶片的石英槽體、保證在清洗過程溫度穩(wěn)定的溢流外槽、產(chǎn)生兆聲波的兆聲振盒及其發(fā)生器、保證清洗槽體內(nèi)溫度的在線加熱和根據(jù)設(shè)備使用中是否需要的自動供酸系統(tǒng)，是否有其他結(jié)構(gòu)可根據(jù)實際使用來進行添加。四．使用原理兆聲波清洗機是用在硅片清洗中的一種清洗技術(shù)，使用時首先要把清洗槽體和在線加熱內(nèi)注入適當(dāng)?shù)那逑吹囊后w，注入的的方法可根據(jù)廠方的注液方式分為手動上液和自動上液，上液完成之后打開在線加熱，使溫度達到使用溫度，溫度達到時...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 03

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濕法腐蝕清洗設(shè)備中的循環(huán)管路應(yīng)用

濕法腐蝕清洗設(shè)備是集成電路、LED、太陽能、MEMS等芯片制造中必不可少的工藝設(shè)備,而為了更好的達到腐蝕效果,在各種腐蝕工藝中往往要配合藥液的循環(huán)完成,從而達到更好的腐蝕均勻性。南通華林科納半導(dǎo)體CSE工程師介紹了幾種常用的腐蝕工藝循環(huán)原理及在濕法腐蝕清洗設(shè)備的典型應(yīng)用。關(guān)鍵詞：工藝槽循環(huán)過濾; 濕法腐蝕清洗; 硅腐蝕;隨著芯片制造特征尺寸的縮小，工藝水平的不斷提高，對晶片腐蝕的均勻性，晶片表面顆粒及金屬污染等潔凈度指標(biāo)提出了更高的要求，因此，濕法腐蝕清洗設(shè)備在采用晶片旋轉(zhuǎn)、抖動、超聲清洗、兆聲清洗等的同時，業(yè)內(nèi)普遍采用工藝槽循環(huán)過濾方式，來凈化槽內(nèi)藥液，同時均勻流場保證藥液濃度和溫度的均勻性。1 濕法腐蝕的關(guān)鍵問題硅的濕法腐蝕在選擇腐蝕工藝和腐蝕劑時，需考慮諸多因素影響（如濃度、時間、溫度、攪拌等）的同時，需考慮以下幾方面的問題：（1）腐蝕速率。較高的腐蝕速率將有效的縮短腐蝕時間，但所得到的腐蝕表面較粗糙。腐蝕液的濃度與腐蝕速率及腐蝕表面質(zhì)量有關(guān)，當(dāng)腐蝕液濃度較小時，腐蝕速率較大。（2）腐蝕選擇性。選擇性是指要腐蝕材料的腐蝕速率與不希望腐蝕的材料（如掩模）的腐蝕速率的比率。一般地，選擇比越大越好。（3）腐蝕均勻性。在硅腐蝕表面各處，腐蝕速率常常不相等，造成腐蝕表面出現(xiàn)起伏等，腐蝕尺寸比較大時表現(xiàn)尤為明顯。這與腐蝕液濃度有關(guān)，反應(yīng)槽中腐蝕液的濃度一直...

發(fā)布時間: 2018 - 01 - 11

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太陽能電池片濕法設(shè)備主要技術(shù)特點

在太陽能電池生產(chǎn)中，制絨是晶硅電池的第一道工藝。華林科納CSE的工程師提到對于單晶硅來說，制絨的目的就是延長光在電池表面的傳播路徑，從而提高太陽能電池對光的吸收效率。單晶硅制絨的主要方法是用堿（NaOH、KOH）對硅片表面進行腐蝕。由于硅片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，各向異性的堿液制絨主要是使晶向分布均勻的單晶硅表面形成類似“金字塔”狀的絨面，有效地增強硅片對入射太陽光的吸收，從而提高光生電流密度。對于既可獲得低的表面反射率，又有利于太陽能電池的后續(xù)制作工藝的絨面，應(yīng)該是金字塔大小均勻，單體尺寸在 2～10 μm 之間，相鄰金字塔之間沒有空隙，即覆蓋率達到 100%。理想質(zhì)量絨面的形成，受到了諸多因素的影響，如硅片被腐蝕前的表面狀態(tài)、制絨液的組成、各組分的含量、溫度、反應(yīng)時間等。而在工業(yè)生產(chǎn)中，對這一工藝過程的影響因素更加復(fù)雜，例如加工硅片的數(shù)量、醇類的揮發(fā)、反應(yīng)產(chǎn)物在溶液中的積聚、制絨液中各組分的變化等。為了維持生產(chǎn) 良好的可重復(fù)性，并獲得高的生產(chǎn)效率。就要比較透徹地了解金字塔絨面的形成機理，控制對制絨過程中影響較大的因素，在較短的時間內(nèi)形成質(zhì) 量較好的金字塔絨面。單晶制絨的工藝比較復(fù)雜，不同公司有各自獨特的制絨方法。一般堿制絨有以下幾種方法： NaOH+IPA、NaOH+IPA+NaSiO3、NaOH+CH3CH2OH 等。一般使用到的化學(xué)添加劑有兩種，一...

發(fā)布時間: 2018 - 07 - 02

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關(guān)于集成電路濕法工藝--南通華林科納工程師的分享

集成電路濕法工藝的目的半導(dǎo)體集成電路制程主要以20世紀(jì)50年代以后發(fā)明的四項基礎(chǔ)工藝（離子注入、擴散、外延生長及光刻）為基礎(chǔ)逐漸發(fā)展起來，由于集成電路內(nèi)各元件及連線相當(dāng)微細(xì)，因此制造過程中，如果遭到塵粒、金屬的污染，很容易造成晶片內(nèi)電路功能的損壞，形成短路或斷路等，導(dǎo)致集成電路的失效以及影響幾何特征的形成。濕法工藝作用是在不破壞晶圓表面特性及電特性的前提下，有效地使用化學(xué)藥液清除殘留在晶圓上之微塵、金屬離子、自然氧化層及有機物之雜質(zhì)。批處理清洗設(shè)備單晶圓清洗設(shè)備集成電路工藝過程IC芯片主要工藝過程濕法設(shè)備的應(yīng)用濕法設(shè)備在8寸IC芯片制造過程中的應(yīng)用集成電路濕法工藝IC芯片清洗工藝分類1. 前段灰化后清洗 35% -硫酸過氧化混合液清洗(SPM Clean) 2. 熱氧化前預(yù)清洗 &#...

發(fā)布時間: 2018 - 06 - 11

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南通華林科納工程師分享半導(dǎo)體制備工藝

中國政府“十三五“規(guī)劃草案，經(jīng)濟發(fā)展目標(biāo)包括半導(dǎo)體等先進產(chǎn)業(yè)及在晶片材料、機器人、航空設(shè)備和衛(wèi)星的次世代領(lǐng)域成為世界領(lǐng)先，研發(fā)經(jīng)費將達GDP2.5%。那么半導(dǎo)體是怎么制造出來的？這里我們并不是探究從沙子到芯片的過程，而是聚焦于半導(dǎo)體生產(chǎn)制造的環(huán)境和生產(chǎn)設(shè)備。半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)通常要經(jīng)歷以下過程：半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)工序這些高端精細(xì)的制備過程對芯片的生產(chǎn)環(huán)境和設(shè)備要求是極高的，這些機器設(shè)備會令硅芯片（如英特爾硅芯片）遭受超強真空處理、「化學(xué)浴」浸泡、高能等離子體加工、紫外光照射等一系列步驟，同時還要使硅芯片經(jīng)過數(shù)百個制造階段，從而將它們變成CPU、存儲器片、圖形處理器等。我們以美國應(yīng)用材料公司的梅坦技術(shù)中心半導(dǎo)體生產(chǎn)環(huán)境和制備設(shè)備為例。 1.無塵室在進入研究中心以前，必須穿上防護服，戴上面具、護目鏡、兩幅手套以及將鞋完全套住的塑膠袋。這里不是生產(chǎn)車間，相反，這個無塵室只是模擬了晶圓廠的環(huán)境，應(yīng)用材料公司的設(shè)備將在這種環(huán)境下使用，以便公司及其客戶可以測試新技術(shù)和新工藝，然后真正將它們推向生產(chǎn)線。2.玻璃光掩膜芯片制造的核心技術(shù)是平版印刷（光刻），這種技術(shù)就像是絲網(wǎng)印刷，只不過不是通過絲制模板將墨滾壓至棉T恤上，而是通過玻璃光掩膜，使紫外光照射表面涂有光刻膠（一種有機化合物）的硅襯底上。在紫外光照射穿透的地方，光刻膠的化學(xué)特性會被削弱，使硅芯片表面留下圖案。接著，硅芯片會被...

發(fā)布時間: 2018 - 06 - 09

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CSE SEMICON China 2018參展圓滿成功

SEMICON China是中國首屈一指的半導(dǎo)體旗艦展覽，每年吸引全球高數(shù)量和高質(zhì)量的觀眾到場參觀，包括企業(yè)高層領(lǐng)導(dǎo)人、采購商和投資人、技術(shù)工程師、中央及產(chǎn)業(yè)發(fā)展熱點地區(qū)政府官員，是業(yè)界公認(rèn)的會見新老供應(yīng)商，洽談生意，獲取最新產(chǎn)品、技術(shù)和解決方案的首要平臺。華林科納CSE再次參加了2018年SEMICON China展會，展會期間參展了公司四大系列產(chǎn)品，其產(chǎn)品優(yōu)勢吸引了眾多知名企業(yè)領(lǐng)導(dǎo)蒞臨參觀，其中CSE單片清洗機、甩干機、自動供液系統(tǒng)以及黑硅制絨設(shè)備的技術(shù)方案在同行里優(yōu)勢凸顯，多家企業(yè)意向預(yù)約前往公司生產(chǎn)基地參觀。此次參展的圓滿成功離不開合作伙伴和公司小伙伴們的支持，再次表示感謝，同時也邀請大家參加公司明年的展會，歡迎大家蒞臨參觀指導(dǎo)。

發(fā)布時間: 2018 - 03 - 20

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南通華林科納CSE的黑硅制絨機設(shè)備研發(fā)成功了

長期以來，多晶太陽電池表面反射率較高的難題一直得不到有效解決，制約了電池效率的進一步提升。濕法黑硅技術(shù)成功解決了這一難題，該技術(shù)將來勢必成為多晶電池的標(biāo)配技術(shù)。多晶電池效率的提升受制于表面反射率的降低。常規(guī)多晶主要采用酸制絨，形成蠕蟲狀的坑洞；而單晶采用堿制絨，形成金字塔結(jié)構(gòu)的絨面。相比單晶電池，常規(guī)多晶電池的表面反射率高3%~5%（絕對值）。降低表面反射率是提高多晶電池效率的關(guān)鍵。成本方面，單晶硅片受益于金剛線切割工藝的推廣，成本大幅下降；而多晶硅片金剛線線切的推廣受制于電池制絨工藝的匹配，具體講，金剛線線切多晶硅片使用常規(guī)制絨工藝后，反射率更高并有明顯的線痕等外觀缺陷，嚴(yán)重降低電池效率。南通華林科納CSE開發(fā)的濕法黑硅制絨技術(shù)完美的解決以上問題，既能提升電池效率又能降低電池成本，是多晶電池繼續(xù)進步的必由之路。更過太陽能電池片濕法黑硅制絨機設(shè)備可以關(guān)注南通華林科納半導(dǎo)體CSE網(wǎng)站：wxyzlgp.cn

發(fā)布時間: 2017 - 05 - 24

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南通華林科納-分享關(guān)于晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程

關(guān)于晶圓封裝測試工序和半導(dǎo)體制造工藝流程一、 IC檢測 1. 缺陷檢查Defect Inspection 2. DR-SEM(Defect Review Scanning Electron Microscopy) 用來檢測出晶圓上是否有瑕疵，主要是微塵粒子、刮痕、殘留物等問題。此外，對已印有電路圖案的圖案晶圓成品而言，則需要進行深次微米范圍之瑕疵檢測。一般來說，圖案晶圓檢測系統(tǒng)系以白光或雷射光來照射晶圓表面。再由一或多組偵測器接收自晶圓表面繞射出來的光線，并將該影像交由高功能軟件進行底層圖案消除，以辨識并發(fā)現(xiàn)瑕疵。 3. CD-SEM(Critical Dimensioin Measurement) 對蝕刻后的圖案作精確的尺寸檢測。二、 IC封裝 1. 構(gòu)裝（Packaging） IC構(gòu)裝依使用材料可分為陶瓷（ceramic）及塑膠（plastic）兩種，而目前商業(yè)應(yīng)用上則以塑膠構(gòu)裝為主。以塑膠構(gòu)裝中打線接合為例，其步驟依序為晶片切割（die saw）、黏晶（die mount / die bond）、焊線（wire bond）、封膠（mold）、剪切/成形（trim / form）、印字（mark）、電鍍（plating）及檢驗（inspection）等。 (1) 晶片切割（die ...

發(fā)布時間: 2017 - 05 - 12

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